[发明专利]二氧杂蒽嵌蒽化合物、层压结构及其形成方法、以及电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用选自由以下结构式（1）至结构式（9）构成的组中的任何一个结构式表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物，

其中，X表示选自由氧、硫、硒和碲构成的组中的一种原子，

其中，Y表示选自由氧、硫、硒和碲构成的组中的一种原子，并且

其中，R、A₁和A₂各自表示氢原子或选自由烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳基、芳基烷基、芳族杂环、杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、烷硫基、环烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺酰基、酰基、酰氧基、酰胺基、氨基甲酰基、脲基、亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、氨基、卤原子、氟代烃基、氰基、硝基、羟基、巯基以及甲硅烷基构成的组中的取代基。

2.根据权利要求1所述的二氧杂蒽嵌蒽化合物，其中，R、A₁和A₂各自表示氢原子或选自由烷基、链烯基、芳基、芳基烷基、芳族杂环以及卤原子构成的组中的取代基。

3.根据权利要求1所述的二氧杂蒽嵌蒽化合物，其中，X表示氧。

4.根据权利要求1所述的二氧杂蒽嵌蒽化合物，其中，Y表示硫。

5.一种电子器件，至少包括：

第一电极；

第二电极，设置为与所述第一电极分离；以及

由有机半导体材料形成的有源层，从所述第一电极至所述第二电极设置，

其中，所述有机半导体材料由根据权利要求1至4中任一项所述的二氧杂蒽嵌蒽化合物形成。

6.一种用以下结构式（11）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物，

其中，R表示具有四个或更多碳原子的支链的烷基。

7.一种电子器件，至少包括：

第一电极；

第二电极，设置为与所述第一电极分离；以及

由有机半导体材料形成的有源层，从所述第一电极至所述第二电极设置，

其中，所述有机半导体材料包括用以下结构式（11）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物，并且

其中，R表示具有包括四个或更多碳原子的支链的烷基。

8.一种用以下结构式（21-1）、结构式（21-2）、或结构式（21-3）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物，

其中，取代基A用以下结构式（22-1）或结构式（22-2）表示，并且

其中，X₁、X₂、X₃、Y₁、Y₂、Y₃、Y₄、Y₅、Y₆、Y₇、和Y₈各自表示氢原子或选自由烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳基、芳基烷基、芳族杂环、杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、烷硫基、环烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺酰基、酰基、酰氧基、酰胺基、氨基甲酰基、脲基、亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、氨基、卤原子、氟代烃基、氰基、硝基、羟基、巯基以及甲硅烷基构成的组中的取代基，

9.一种用以下结构式（23-1）或结构式（23-2）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物：

10.一种电子器件，至少包括：

第一电极；

第二电极，设置为与所述第一电极分离；以及

由有机半导体材料形成的有源层，从所述第一电极至所述第二电极设置，

其中，所述有机半导体材料包括根据权利要求8或9所述的二氧杂蒽嵌蒽化合物。