[发明专利]卡巴他赛的晶型和用于制备其的方法

权利要求书

1.卡巴他赛晶型-1。

2.权利要求1的卡巴他赛晶型-1，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图具有在如下2-θ的峰：7.27，8.098，8.9288，9.8386，10.3719，11.1279，12.6872，12.9551，14.3024，15.3175，和15.7891±0.2度2-θ。

3.权利要求1的卡巴他赛晶型-1，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图如图-1所描述。

4.用于制备卡巴他赛晶型-1的方法，其包含：

a.将粗制的卡巴他赛溶解在氯化烃中，

b.将脂族烃溶剂加入在步骤(a)中得到的溶液；和

c.分离卡巴他赛晶型-1。

5.权利要求6的方法，其中氯化烃是二氯甲烷。

6.权利要求6的方法，其中脂族烃是正己烷或庚烷。

7.卡巴他赛晶型-2。

8.权利要求9的卡巴他赛晶型-2，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图具有在如下2-θ的峰：约3.9477，6.9328，7.8516，10.1685，10.7552，11.6174，12.1755，12.8255，13.5716，14.0264，15.1085，17.2533和18.1414±0.2度2-θ。

9.权利要求9的卡巴他赛晶型-2，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图如图-3所描述。

10.权利要求9的卡巴他赛晶型-2，由68.5，114.59和174℃的熔融吸热谱线表征，所述熔融吸热谱线由示差扫描量热法所测量。

11.权利要求9的卡巴他赛晶型-2，由约5.88w/w的重量损失表征，所述重量损失由热重量分析(TGA)所测量。

12.用于制备卡巴他赛晶型-2的方法，其包含：

a.将粗制的卡巴他赛溶解在二甲基亚砜中，

b.将水加入在步骤(a)中得到的溶液；和

c.分离卡巴他赛晶型-2。

13.卡巴他赛的晶型-3。

14.权利要求15的卡巴他赛晶型-3，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图具有在如下2-θ的峰：4.2517，6.9143，7.5307，8.5018，8.6671，10.0963，11.016，11.7729，12.2981，12.655，13.2716，13.3755，13.8385，14.3319，15.1075和15.5934度2θ±0.2度2-θ。

15.权利要求15的卡巴他赛晶型-3，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图如图-5所描述。

16.权利要求15的卡巴他赛晶型-3，由71.59℃的熔融吸热谱线表征，所述熔融吸热谱线由示差扫描量热法所测量。

17.权利要求15的卡巴他赛晶型-3，由约1.44w/w的重量损失表征，所述重量损失由热重量分析(TGA)所测量。

18.用于制备卡巴他赛晶型-3的方法，其包含：

a.将粗制的卡巴他赛溶解在乙腈中，

b.将水加入在步骤(a)中得到的溶液；和

c.分离卡巴他赛晶型-3。

19.卡巴他赛的晶型-4。

20.权利要求21的卡巴他赛晶型-4，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图具有在如下2-θ的峰：6.9147，7.9157，10.1788，10.7274，12.2545，13.9828，15.1051，17.2041，18.1419，19.7907，21.5114，23.1898，24.6259，25.3476和35.589度2θ±0.2度2-θ。

21.权利要求21的卡巴他赛晶型-4，由X射线粉末衍射(XRD)图表征，所述X射线粉末衍射(XRD)图如图-7所描述。