[发明专利]用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻腔室，包含：

夹盘，所述夹盘在蚀刻制程期间支撑工作件；

第一喷淋头，所述第一喷淋头设置在所述夹盘上方以分配第一馈送气体进入第一腔室区域，其中所述夹盘及所述第一喷淋头形成第一射频耦合电极对以电容激发所述第一喷淋头与所述夹盘之间的第一腔室区域内的所述第一馈送气体的第一等离子体；

第二电极，所述第二电极设置在所述第一喷淋头上方，与所述夹盘相对，其中所述第二电极及所述第一喷淋头形成第二射频耦合电极对以使所述第一喷淋头与所述第二电极之间的第二腔室区域内的第二馈送气体的第二等离子体进行电容放电；以及

控制器，所述控制器在所述蚀刻制程期间通过交替地自动供电所述第一射频耦合电极对与所述第二射频耦合电极对来交替地激发所述第一等离子体与所述第二等离子体。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述第二电极是分配所述第一馈送气体及所述第二馈送气体进入所述第二腔室区域的第二喷淋头，且其中所述第一喷淋头进一步将所述第一馈送气体或反应性物质从所述第二等离子体输送到所述第一腔室区域。

3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述夹盘与所述第二电极两者经由可由所述控制器切换的中继器耦接至相同的射频电源。

4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述夹盘耦接至包含一或多个射频产生器的第一射频电源，且所述第一喷淋头经由中继器可选择地耦接至接地平面与第二射频电源两者，所述第二射频电源包含一或多个射频产生器，所述一或多个射频产生器可在不同于所述第一射频电源的频率的频率下操作，所述中继器可由所述控制器控制。

5.如权利要求1所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述夹盘可在垂直于所述第一喷淋头的方向上移动，或所述夹盘包括升降机，以提升所述工作件离开所述夹盘，以控制在所述蚀刻制程期间通过所述第一喷淋头对所述工作件的加热。

6.如权利要求1所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述第一喷淋头是双区喷淋头，所述双区喷淋头具有第一复数个孔与第二复数个孔，所述第一复数个孔流体地耦接所述第一腔室区域及所述第二腔室区域，以及所述第二复数个孔将所述第一腔室区域流体地耦接至与所述第二腔室区域绝缘的流体源。

7.一种等离子体蚀刻腔室，包含：

夹盘，所述夹盘在蚀刻制程期间支撑工作件；

第一喷淋头，所述第一喷淋头设置在所述夹盘上方以分配第一馈送气体进入第一腔室区域，其中所述夹盘与所述第一喷淋头形成第一射频耦合电极对以使所述第一喷淋头与所述夹盘之间的第一腔室区域内的所述第一馈送气体的第一等离子体进行电容放电并提供射频偏压电位于所述夹盘上；

远端射频等离子体源，所述远端射频等离子体源设置在所述第一喷淋头上方，与所述夹盘相对，其中所述远端射频等离子体源将使所述远端等离子体源内的第二馈送气体的第二等离子体放电而不提供射频偏压电位于所述夹盘上；以及

控制器，所述控制器在该蚀刻制程期间通过交替地自动供电所述第一射频耦合电极对与所述远端射频等离子体源来交替地激发所述第一等离子体与所述第二等离子体。

8.如权利要求7所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述夹盘耦接至包含一或多个射频产生器的第一射频电源，且所述第一喷淋头耦接至第二射频电源，所述第二射频电源包含可在不同于所述第一射频电源的频率的频率下操作的一或多个射频产生器，所述第一喷淋头经由介电隔片与接地的腔室壁绝缘，以使所述第一喷淋头相对于所述腔室壁为电气浮动的(electrically floating)。

9.如权利要求7所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述等离子体蚀刻腔室进一步包含设置在所述远端射频等离子体源与所述第一喷淋头之间的第二喷淋头，所述第二喷淋头分配由所述射频等离子体源产生的蚀刻物质。

10.如权利要求7所述的等离子体蚀刻腔室，其特征在于，所述第一喷淋头是双区喷淋头，所述双区喷淋头具有第一复数个孔与第二复数个孔，所述第一复数个孔流体地耦接所述第一腔室区域及所述远端等离子体源，以及所述第二复数个孔将所述第一腔室区域流体地耦接至与所述远端等离子体源绝缘的流体源。