[发明专利]电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法有效
申请号: | 201280048397.0 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103843137B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 权兑辉 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 包含 设备 用于 形成 方法 | ||
本发明提供电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法。一个此种电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分;且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。
本申请案主张2011年8月22日申请的第13/214,902号美国申请案的优先权权益,所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体来说涉及电容器,且在特定实施例中,涉及一种用于存储电能并向多种装置(包含半导体装置)提供电能的平行板电容器。
背景技术
电容器为用于存储电能并向其它电元件提供电能的基本电元件。其用于当今大多数的电装置及/或电子装置中且随着技术快速演进不断地将其应用范围扩展到新型高科技装置(例如半导体装置)中。尽管存在大量可供在此些半导体装置中使用的电容器(例如,金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)电容器),但随着多年以来半导体装置的密度已迅猛且稳定地增加,对在大小上更小且在存储容量上更大的电容器的需求一直不断且日益增加。
附图说明
图1A展示电容器的一个说明性实施例的透视图。
图1B展示图1A中所展示的电容器沿着线A-A′截取的横截面图。
图1C展示图1A中所展示的电容器的平面图。
图2A展示电容器的另一说明性实施例的透视图。
图2B展示图2A中所展示的电容器沿着线B-B′截取的横截面图。
图2C展示图2A中所展示的电容器的平面图。
图2D展示图2A中所展示的电容器的示意性电路图。
图3A展示电容器的又一说明性实施例的透视图。
图3B展示图3A中所展示的电容器沿着线C-C′截取的横截面图。
图3C展示图3A中所展示的电容器沿着线D-D′截取的横截面图。
图3D展示图3A中所展示的电容器的平面图。
图4A及4B展示包含四个接触电极的电容器的说明性实施例的平面图。
图5展示包含电容器的快闪存储器装置的说明性实施例的横截面图。
图6展示包含多个电容器的电荷泵的说明性实施例。
图7展示用于制作电容器的方法的说明性实施例的实例流程图。
图8A-8G是图解说明图7中所展示的实例方法及通过所述实例方法制作的结构的一系列图式。
图9展示包含非易失性存储器装置的系统的说明性实施例的示意图。
具体实施方式
本发明提供与电容器相关的技术。在一个实施例中,所述电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分;且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。
在另一实施例中,一种电容器可包含彼此上下安置的N个平面导体,所述平面导体中的每一者包含未被安置于其上面的平面导体覆盖的至少一个第一部分,其中N为等于或大于2的自然数。
前述实施例仅为说明性且决不打算为限制性。除上述说明性方面、实施例及特征之外,参考图式及以下详细描述,其它方面、实施例及特征也将变得显而易见。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的