[发明专利]用于在硅衬底中形成扩散区的方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

将耐蚀刻掺杂剂材料沉积到硅衬底上，所述耐蚀刻掺杂剂材料包含掺杂剂源；

利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质；以及

将所述硅衬底和所述耐蚀刻掺杂剂材料加热到足够的温度以使所述掺杂剂源扩散到所述硅衬底内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质包括使所述硅衬底上的所述耐蚀刻掺杂剂材料发生从液态到固态的相变。

3.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质包括将所述耐蚀刻掺杂剂材料暴露于非红外电磁辐射。

4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述耐蚀刻掺杂剂材料暴露于非红外电磁辐射包括将所述耐蚀刻掺杂剂材料暴露于紫外光。

5.根据权利要求3所述的方法，其中将所述耐蚀刻掺杂剂材料暴露于非红外电磁辐射包括将所述耐蚀刻掺杂剂材料暴露于可见光谱的光或者说具有380纳米到760纳米的波长的电磁辐射。

6.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述耐蚀刻掺杂剂材料的非热固化在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成交联基质包括向所述耐蚀刻掺杂剂材料发射声波。

7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述耐蚀刻掺杂材料包括将所述耐蚀刻掺杂剂以液体形式分配到所述硅衬底上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中分配所述耐蚀刻掺杂剂材料包括将所述耐蚀刻掺杂剂材料丝网印刷到硅衬底上。

9.根据权利要求7所述的方法，其中分配所述耐蚀刻掺杂剂材料包括将所述耐蚀刻掺杂剂材料喷墨印刷到硅衬底上。

10.根据权利要求7所述的方法，其中分配所述耐蚀刻掺杂剂材料包括将所述耐蚀刻掺杂剂材料旋涂到硅衬底上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中将包含掺杂剂源的所述耐蚀刻掺杂剂材料分配到所述硅衬底上包括将包含单极性掺杂剂源的掺杂剂材料分配到所述硅衬底上。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将包含单极性掺杂剂源的掺杂剂材料分配到所述硅衬底上包括将P型掺杂剂分配到所述硅衬底上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中将包含单极性掺杂剂源的掺杂剂材料分配到所述硅衬底上包括将N型掺杂剂分配到所述硅衬底上。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括选择性地蚀刻所述硅衬底，以移除所述掺杂剂源材料而不蚀刻所述硅衬底。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括下述步骤：当在所述耐蚀刻掺杂剂材料中形成所述交联基质之后通过将所述耐蚀刻掺杂剂材料加热到至少400℃来减少所述耐蚀刻掺杂剂材料中溶剂的量。

16.一种太阳能电池，所述太阳能电池是根据权利要求1所述的方法制造的。

17.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

将掺杂剂材料沉积到具有光伏太阳能电池结构的硅衬底上；

将所述掺杂剂材料非热暴露于紫外光以通过光致聚合过程在所述掺杂剂材料中形成交联基质；以及

将所述掺杂剂材料的硅衬底加热到足够的温度以使所述掺杂剂源扩散到所述硅衬底内。

18.根据权利要求17所述的方法，其中通过将所述掺杂剂材料非热暴露于紫外光在所述掺杂剂材料中形成交联基质包括将所述掺杂剂材料暴露于具有8纳米到400纳米的波长的电磁辐射。

19.根据权利要求17所述的方法，其中通过将所述掺杂剂材料非热暴露于紫外光在所述掺杂剂材料中形成交联基质包括将所述掺杂剂材料暴露于紫外光，以使得所述掺杂剂材料在所述光致聚合过程中发生从液态到固态的相变。

20.根据权利要求17所述的方法，其中通过将所述掺杂剂材料非热暴露于紫外光在所述掺杂剂材料中形成交联基质包括暴露所述掺杂剂材料以执行固化步骤，所述固化步骤选自丙烯酸酯聚合、阳离子聚合、巯基烯化学应用、和含氢硅烷加成。