[发明专利]微波处理系统中的等离子体调谐杆

权利要求书

1.一种用于处理衬底的微波处理系统，包括：

矩形处理室，所述矩形处理室包括处理空间，所述处理空间中具有可移动的衬底保持器；

第一腔组件，所述第一腔组件利用第一接口组件耦合到所述矩形处理室，所述第一腔组件中具有第一电磁（EM）能量调谐空间，所述第一接口组件包括第一组隔离组件，其中，第一EM能量调谐空间中建立有第一组EM耦合区域；

第一组等离子体调谐杆，所述第一组等离子体调谐杆耦合到所述第一组隔离组件，所述第一组等离子体调谐杆具有被配置在所述处理空间中的第一组等离子体调谐部分，以及被配置在所述第一EM能量调谐空间中并且与所述第一组EM耦合区域中的至少之一耦合的第一组EM调谐部分；

第二腔组件，所述第二腔组件利用第二接口组件耦合到所述矩形处理室，所述第二腔组件中具有第二EM能量调谐空间，所述第二接口组件包括第二组隔离组件，其中，所述第二EM能量调谐空间中建立有第二组EM耦合区域；

第二组等离子体调谐杆，所述第二组等离子体调谐杆耦合到所述第二组隔离组件，所述第二组等离子体调谐杆具有被配置在所述处理空间中的第二组等离子体调谐部分，以及被配置在所述第二EM能量调谐空间中并且与所述第二组EM耦合区域中的至少之一耦合的第二组EM调谐部分；以及

控制器，所述控制器耦合到所述第一腔组件和所述第二腔组件，其中，所述控制器被配置成控制所述第一EM能量调谐空间中的所述第一组EM耦合区域以及所述第二EM能量调谐空间中的所述第二组EM耦合区域，由此控制所述处理空间中的等离子体均匀性。

2.根据权利要求1所述的微波处理系统，还包括：

第一耦合网络，所述第一耦合网络耦合到所述第一腔组件；

第一匹配网络，所述第一匹配网络耦合到所述第一耦合网络；

第一EM源，所述第一EM源耦合到所述第一匹配网络，其中，所述第一EM源被配置成在500MHz至5000MHz的频率范围中操作，其中，所述控制器耦合到所述第一EM源并且被配置成控制所述第一EM源，由此控制所述处理空间中的等离子体均匀性；

第二耦合网络，所述第二耦合网络耦合到所述第二腔组件；

第二匹配网络，所述第二匹配网络耦合到所述第二耦合网络；

第二EM源，所述第二EM源耦合到所述第二匹配网络，其中，所述第二EM源被配置成在500MHz至5000MHz的第二频率范围中操作，其中，所述控制器耦合到所述第二EM源并且被配置成控制所述第二EM源，由此控制所述处理空间中的等离子体均匀性。

3.根据权利要求1所述的微波处理系统，还包括：

第一等离子体调谐板，所述第一等离子体调谐板被配置成靠近所述第一EM能量调谐空间中的所述第一EM耦合区域；

第一控制组件，所述第一控制组件通过第一腔组件壁耦合到所述第一等离子体调谐板，所述第一等离子体调谐板被所述第一控制组件定位在与所述第一EM调谐部分相距第一EM耦合距离处；其中，所述控制器耦合到所述第一控制组件并且被配置成控制第一等离子体调谐距离，由此控制所述处理空间中的等离子体均匀性；

第二等离子体调谐板，所述第二等离子体调谐板被配置成靠近所述第二EM能量调谐空间中的所述第二EM耦合区域；

第二控制组件，所述第二控制组件通过第二腔组件壁耦合到所述第二等离子体调谐板，所述第二等离子体调谐板被所述第二控制组件定位在与所述第二EM调谐部分相距第二EM耦合距离处；其中，所述控制器耦合到所述第二控制组件并且被配置成控制第二等离子体调谐距离，由此控制所述处理空间中的等离子体均匀性。

4.根据权利要求1所述的微波处理系统，其中，所述第一组等离子体调谐杆、所述第一腔组件、所述第二组等离子体调谐杆和所述第二腔组件包含电介质材料。

5.根据权利要求1所述的微波处理系统，还包括：

气体喷头，所述气体喷头耦合到所述矩形处理室；

气体供应子组件，所述气体供应子组件耦合到所述气体喷头；以及

气体供应系统，所述气体供应系统耦合到所述气体供应子组件，其中，所述气体喷头被配置成向所述处理空间引入处理气体，其中，所述控制器耦合到所述气体供应系统、所述气体供应子组件和所述气体喷头，并且所述控制器被配置成控制所述气体供应系统、所述气体供应子组件和所述气体喷头，由此控制所述处理空间中的等离子体均匀性。