[发明专利]双重图案化蚀刻工艺

权利要求书

1.一种蚀刻基板的方法，所述方法包含：

(a)在所述基板上形成包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的多个双重图案化特征；

(b)在工艺腔室的工艺区中提供具有所述双重图案化特征的所述基板；

(c)在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体；

(d)将所述受激励的蚀刻气体引入至所述工艺腔室的所述工艺区内，以蚀刻所述双重图案化特征而在所述基板上形成固态残留物；以及

(e)藉由加热所述基板至至少约100℃的温度来升华所述固态残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，(a)包含提供基板，所述基板包含由氮氧化硅组成的双重图案化特征。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，(a)包含提供基板，所述基板包含双重图案化特征，所述双重图案化特征包含蚀刻终止层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，(a)包含提供基板，所述基板包含双重图案化特征，所述双重图案化特征包含侧壁间隔物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包含至少约1∶1的氨与三氟化氮的摩尔比率。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包含自约5∶1至约30∶1的氨与三氟化氮的摩尔比率。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包含自约1∶1至约1∶10的氨与氢的摩尔比率。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包含：处于自约10sccm至约3000sccm的流动速率的氢；处于自约10sccm至约1000sccm的流动速率的三氟化氮；以及处于自约10sccm至约1000sccm的流动速率的氨。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包括稀释剂气体，所述稀释剂气体包含氩、氦、氢、氮或前述气体的混合物。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述蚀刻气体包含以体积计自约80％至约95％的稀释剂气体。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，藉由以自约5瓦特至约60瓦特的功率电平施加RF或微波功率来激励所述蚀刻气体。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，(e)包含将所述基板维持在自约115℃至约200℃的高温下。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述基板维持在所述高温下达约10秒至约300秒。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺区包含气体分配器，且其中藉由将所述基板升至离所述气体分配器约0.25mm至约5mm的距离来加热所述基板。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，将所述气体分配器加热至自约100℃至约400℃的温度。

16.一种蚀刻基板的方法，所述方法包含：

(a)在工艺腔室的工艺区中提供具有由氮氧化硅组成的多个双重图案化特征的基板；

(b)在远程腔室中激励包含三氟化氮、氨及氢的蚀刻气体，所述蚀刻气体包含至少1∶1的氨与三氟化氮的摩尔比率以及自约1∶1至约1∶10的氨与氢的摩尔比率；

(c)将所述受激励的蚀刻气体引入至所述工艺腔室的所述工艺区内，以蚀刻所述双重图案化特征而在所述基板上形成固态残留物；以及

(d)藉由将所述基板加热至至少约100℃的温度来升华所述固态残留物。

17.一种蚀刻基板的方法，所述方法包含：

(a)在工艺腔室的工艺区中提供具有由氮氧化硅组成的多个双重图案化特征的基板；

(b)在远程腔室中激励蚀刻气体，所述蚀刻气体包含处于自约10sccm至约3,000sccm的流动速率的氢、处于自约10sccm至约1,000sccm的流动速率的三氟化氮、以及处于自约10sccm至约1,000sccm的流动速率的氨；

(c)将所述受激励的蚀刻气体引入至所述工艺腔室的所述工艺区内，以蚀刻所述双重图案化特征而在所述基板上形成固态残留物；以及

(d)藉由将所述基板加热至自约115℃至约200℃的温度来升华所述固态残留物。