[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

在支撑基板上的背电极层；

在所述背电极层上的光路转换层，所述光路转换层包含突起图案；

在所述光路转换层上的光吸收层；以及

在所述光吸收层上的前电极层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述突起图案包括相对于所述支撑基板倾斜的斜面。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述突起图案包括彼此相对的第一斜面和第二斜面。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述突起图案包括多个第一斜面，以及与所述多个第一斜面相对的多个第二斜面。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述突起图案具有棱锥形状。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述突起图案的高度在30nm至100nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述光路转换层包括在所述背电极层上的基层和在所述背电极层上的所述突起图案。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述基层被制备为薄膜，并且所述突起图案布置在所述基层上。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述光路转换层包括一种材料，该材料选自由氧化锌，铟锡氧化物（ITO）、氧化锡及这些物质的组合构成的组。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述光路转换层的厚度在10nm至100nm的范围内。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述光路转换层被掺杂了一种掺杂物，该掺杂物选自由Ⅴ族元素、过渡金属元素、碱金属及这些物质的组合构成的组。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述Ⅴ族元素包括选自由氮、磷、砷及这些元素的组合构成的组中的一种。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述过渡金属元素包括选自由钒（V）、铬（Cr）、锰（Mn）、铁（Fe）、钴（Co）、镍（Ni）、铜（Cu）及这些物质的组合构成的组中的一种。

14.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述掺杂物的浓度在1.0×10¹⁶原子/cm³至1.0×10¹⁹原子/cm³范围内。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述光路转换层是透明的。

16.一种太阳能电池的制造方法，包括：

在支撑基板上形成背电极层；

在所述背电极层上形成光路转换层并且通过蚀刻所述光路转换层形成突起图案；

在所述光路转换层上形成包含所述突起图案的光吸收层；以及

在所述光吸收层上形成前电极层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述突起图案的形成是通过湿法蚀刻或者干法蚀刻进行的。