[发明专利]存储元件以及用于制造存储元件的方法在审
| 申请号: | 201280047269.4 | 申请日: | 2012-09-03 |
| 公开(公告)号: | CN103828098A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
| 发明(设计)人: | C.舒;T.佐勒 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
| 主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/52;H01M10/39;H01M4/80 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;刘春元 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 元件 以及 用于 制造 方法 | ||
1.用于固体电解质电池组的存储元件(10),具有由被烧结的陶瓷颗粒的多孔的基质(20)构成的基体,共同形成氧化还原对的金属和/或金属氧化物的颗粒(22)被插入到所述基质中,
其特征在于,
所述存储元件(10)沿着优选方向具有金属和/或金属氧化物的颗粒(22)的浓度梯度和/或孔密度和/或孔大小的梯度。
2.根据权利要求1所述的存储元件(10),其特征在于,沿着所述优选方向,金属和/或金属氧化物的颗粒(22)的浓度增加并且所述孔密度和/或所述孔大小减小。
3.根据权利要求1或2所述的存储元件(10),其特征在于,所述浓度梯度和/或所述孔密度和/或孔大小的梯度是分级梯度。
4.根据权利要求1到3之一所述的存储元件(10),其特征在于,所述存储元件(10)具有外围的金属层(30),所述优选方向相对于所述金属层形成平面法线。
5.根据权利要求4所述的存储元件(10),其特征在于,所述外围的金属层(30)在两侧被陶瓷层(28)包围,所述陶瓷层至少大多数没有孔(24)和金属和/或金属氧化物的颗粒(22)。
6.根据权利要求1到5之一所述的存储元件(10),其特征在于,所述陶瓷颗粒由氧化还原惰性材料、特别是由Al2O3、MgO或ZrO2组成。
7.根据权利要求1到6之一所述的存储元件(10),其特征在于,所述陶瓷颗粒具有小于1μm的中等颗粒大小d50。
8.根据权利要求1到7之一所述的存储元件(10),其特征在于,所述金属和/或金属氧化物的颗粒(22)由Fe、Ni或Mn和/或相应的氧化物组成。
9.根据权利要求1到8之一所述的存储元件(10),其特征在于,所述金属和/或金属氧化物的颗粒(22)具有1到10μm的中等颗粒大小d50。
10.用于制造用于固体电解质电池组的存储元件(10)的方法,在所述方法中由陶瓷颗粒和共同形成氧化还原对的金属和/或金属氧化物的颗粒(22)以及成孔剂构成的第一泥浆被提供并且成型为生胚体,所述生胚体随后被烧结,
其特征在于,
至少一种另外的由陶瓷颗粒和金属和/或金属氧化物的颗粒(22)以及成孔剂构成的泥浆被提供,所述泥浆在成孔剂的份额上和/或在金属和/或金属氧化物的份额上区别于所述第一泥浆,其中所述生胚体的一个子区域由所述第一泥浆成型并且所述生胚体的至少一个子区域由所述至少一种另外的泥浆成型。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,为了使所述生胚体成型,首先通过所述第一泥浆的薄膜浇注在载体上制造第一生膜,并且通过所述至少一种另外的泥浆的薄膜浇注在载体上制造至少一个另外的生膜,紧接着相应的载体被去除并且多个生膜段被堆叠成所述生胚体,并且紧接着被层压和被脱脂,其中所述生胚体的第一子区域通过所述第一生膜的薄膜段的堆叠而形成并且所述生胚体的至少一个另外的子区域通过第二生膜的薄膜段的堆叠而形成。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,总共三个生膜由分别被分配的泥浆来制造。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一泥浆包含50 体积百分比的金属和/或金属氧化物和10 体积百分比的成孔剂,第二泥浆包括35 体积百分比的金属和/或金属氧化物和20 体积百分比的成孔剂并且第三泥浆包括20 体积百分比的金属和/或金属氧化物和30 体积百分比的成孔剂,其中所述泥浆的剩余部分分别由陶瓷颗粒形成。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,为了使所述生胚体成型,首先第一生膜的多个薄膜段、接着第二生膜的多个薄膜段、接着第三生膜的多个薄膜段被堆叠。
15.根据权利要求11到14之一所述的方法,其特征在于,附加地提供陶瓷泥浆以及金属泥浆,并且相应的生膜由所述泥浆来制造,其中所述陶瓷泥浆的颗粒组成部分仅仅包括陶瓷颗粒,所述金属泥浆的颗粒组成部分仅仅包括金属的颗粒。
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