[发明专利]高区域堆叠层金属结构及相关方法无效
申请号: | 201280047105.1 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN103827019A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 菲利普·贾森·斯蒂法诺;安娜·兰格洛瓦·隆德甘;叶夫根尼·彼得罗维奇·古塞夫;拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;C25D5/10;C25D5/18;C23C28/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 区域 堆叠 金属结构 相关 方法 | ||
1.一种在衬底上从电镀槽形成多个堆叠层的方法,其包括:
电镀以沉积第一材料的至少一个层及第二材料的至少一个层;以及
选择性地蚀刻所述第一材料的部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一材料为第一金属,且所述第二材料为包含所述第一金属及第二金属的合金;
电镀包含调制电镀电流以沉积所述第一金属及所述合金的多个交替层;以及
选择性地蚀刻包含在所述合金层的区之间形成间隙,所蚀刻的第一金属层及合金层的所述交替层界定堆叠层结构。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述衬底由绝缘材料形成,所述绝缘材料包含选自由以下各者组成的群的一个或一个以上项目:玻璃、陶瓷、塑料、高电阻率硅、绝缘体上硅SOI、砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其中所述衬底是刚性衬底。
5.根据权利要求2到4中任一权利要求所述的方法,其中所述第一金属包含铜(Cu)。
6.根据权利要求2到5中任一权利要求所述的方法,其中所述第二金属包含选自由以下各者组成的群的一个或一个以上项目:镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe),及其组合。
7.根据权利要求2到6中任一权利要求所述的方法,其进一步包括:
在所述堆叠层结构的表面上沉积介电材料;以及
在所述介电材料上沉积导电层以界定包含第一电极及第二电极的电容器,所述第一电极是所述堆叠层结构,且所述第二电极是所述导电层。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述介电材料包含选自由以下各者组成的群的一个或一个以上项目:氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)及二氧化钽(Ta2O5)。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其中使用原子层沉积ALD来沉积所述介电材料。
10.根据权利要求7到9中任一权利要求所述的方法,其中所述导电层包含选自由以下各者组成的群的一个或一个以上项目:钌(Ru)、铂(Pt)、铑(Rh)及铱(Ir)。
11.根据权利要求7到10中任一权利要求所述的方法,其中使用无电极电镀来沉积所述导电层。
12.根据权利要求2到6中任一权利要求所述的方法,其进一步包括:
在所述堆叠层结构上形成传感器层。
13.根据权利要求2到6中任一权利要求所述的方法,其中所述电镀电流调制经调整而使得所述第一金属层中的第一者具有第一厚度,且所述第一金属层中的第二者具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
14.根据权利要求2到6中任一权利要求所述的方法,其进一步包括:
在所述合金层上形成导电材料的电极层以部分地填充所述间隙。
15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:
在所述部分填充的间隙中提供液体电解质。
16.根据权利要求15所述的方法,其进一步包括:
将气相反应物提供到所述液体电解质,所述气相反应物能够与所述电极层材料反应。
17.根据权利要求15所述的方法,其进一步包括:
将液相反应物提供到所述液体电解质,所述液相反应物能够与所述电极层材料反应。
18.根据权利要求2到6中任一权利要求所述的方法,其进一步包括:
将介电材料沉积于所述合金层之间的所述间隙中。
19.一种装置,其包括:
第一材料的至少一个层;以及
第二材料的至少一个层,其具有延伸超出所述至少一个第一材料层的一个或一个以上部分。
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