[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280046954.5 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103827348A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;永津光太郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种钽溅射靶，其特征在于，
在钽溅射靶的溅射面上，（200）面的取向率为70%以下、并且（222）面的取向率为10%以上。
2.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，
在钽溅射靶的溅射面上，（200）面的取向率为60%以下、并且（222）面的取向率为20%以上。
3.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，
在钽溅射靶的溅射面上，（200）面的取向率为50%以下、并且（222）面的取向率为30%以上。
4.一种扩散阻挡层用薄膜，其使用权利要求1～3中任一项所述的溅射靶而形成。
5.一种半导体器件，其使用权利要求4所述的扩散阻挡层用薄膜。
6.一种钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
将熔炼铸造而成的钽锭锻造和再结晶退火后，进行轧制和热处理，形成在靶的溅射面上（200）面的取向率为70%以下、并且（222）面的取向率为10%以上的晶体组织。
7.如权利要求6所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
将熔炼铸造而成的钽锭锻造和再结晶退火后，进行轧制和热处理，形成在靶的溅射面上（200）面的取向率为60%以下、并且（222）面的取向率为20%以上的晶体组织。
8.如权利要求6所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
将熔炼铸造而成的钽锭锻造和再结晶退火后，进行轧制和热处理，形成在靶的溅射面上（200）面的取向率为50%以下、并且（222）面的取向率为30%以上的晶体组织。
9.如权利要求6～8中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
使用轧辊直径为500mm以上的轧辊以10m/分钟以上的轧制速度、超过80%的压下率进行冷轧。
10.如权利要求6～8中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
将轧制和热处理重复两次以上，使用轧辊直径为500mm以上的轧辊以10m/分钟以上的轧制速度、60%以上的压下率进行冷轧。
11.如权利要求6～10中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
在900℃～1400℃的温度下进行热处理。
12.如权利要求6～11中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
将锻造和再结晶退火重复两次以上。
13.如权利要求6～12中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，
在轧制和热处理后，通过切削、研磨进行表面精加工。
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