[发明专利]具有使用多页的组合验证的加速的写入后读取的非易失性存储器的方法

权利要求书

1.一种操作存储器系统的方法，该存储器系统包括沿着多个字线形成的非易失性单元的阵列，每个字线能够存储一页或多页数据，所述方法包括：

将多页数据写入到所述阵列中；

随后从所述阵列读取多个写入的页的数据；

形成多个读取的页的合成数据结构；以及

进行对所述合成数据结构的至少一部分的评估，以确定在所写入的多页数据中的高错误率的存在。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，进行对所述合成数据结构的至少一部分的评估以确定高错误率的存在包括确定在哪里错误率高于阈值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器系统包括存储器电路和控制器电路，该存储器电路包括所述阵列，其中，在所述存储器电路上形成所述合成数据结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述方法还包括：

通过总线结构将所述合成数据结构从存储器电路传送到控制器电路，其中，使用在控制器电路上的逻辑电路来进行所述评估。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述存储器电路上进行所述评估。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个读取的页的数据包括从多个字线读取的数据。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个读取的页的数据沿着块而散布。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述存储器系统以多状态格式来写入所述多页数据，在字线上存储多于一页数据，且其中所述多个读取的页的数据包括从所述多个字线的每个字线读取的多页数据。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器系统以多状态格式来写入所述多页数据，在字线上存储多于一页数据，且其中所述多个读取的页的数据包括从单个字线读取的多页数据。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多个读取的页的数据是来自一个或多个字线的最高页和最低页的数据。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述存储器系统以每单元3位的格式将数据存储在所述阵列中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，进行所述评估包括：

形成所述合成数据结构的所述至少一部分的统计；以及

比较所述统计与对于所述统计的一个或多个期望值，以确定在所写入的多页数据中的高错误率的存在。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述存储器系统包括存储器电路和控制器电路，该存储器电路包括所述阵列，其中，在存储器电路上形成所述合成数据结构，且所述方法还包括：

通过总线结构将所述合成数据结构从存储器电路传送到控制器电路，其中，使用在控制器电路上的逻辑电路来进行所述评估。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，每页数据包括第一部分和第二部分，第一部分包括用户数据，第二部分包括该页数据的第一部分的对应的错误校正码（ECC）。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述存储器系统包括存储器电路和控制器电路，该存储器电路包括所述阵列，该控制器电路包括ECC电路，其中，在存储器电路上形成所述合成数据结构，且所述方法还包括：

通过总线结构将所述合成数据结构从存储器电路传送到控制器电路，其中，使用所述ECC电路在所述控制器上进行所述评估。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，进行所述评估包括：

解码所述合成数据结构，且基于对应于所述合成数据结构的ECC来确定其中的错误量。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，进行所述评估包括：

基于对应于所述合成数据结构的ECC来估计合成数据结构中的错误量。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述估计是基于在对应于合成数据结构的ECC中的未满足的奇偶校验的数量。