[发明专利]使用以二进制格式和多状态格式写入的数据的比较的非易失性存储器中的写入后读取无效

专利信息
申请号: 201280046039.6 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN103814409A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: E.沙伦;I.埃尔罗德 申请(专利权)人: 桑迪士克科技股份有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C11/56;G06F11/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王珊珊
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 使用 二进制 格式 状态 写入 数据 比较 非易失性存储器 中的 读取
【权利要求书】:

1.一种操作非易失性存储器系统的方法,该存储器系统包括控制器电路和通过总线结构与该控制器电路连接的存储器电路,所述存储器电路具有以二进制格式存储数据的非易失性存储器的第一部分和以每单元N位的多状态格式存储数据的非易失性存储器的第二部分,其中,N是2或更大的整数,该方法包括:

在所述控制器电路处从主机接收多个至少N页的数据;

通过总线结构将多个页从所述控制器电路传输到存储器电路;

在所述存储器电路的第一部分中的对应多个字线上写入所述多个页;

将N页数据从存储器的第一部分的对应N个字线写入到所述存储器电路的第二部分的单个字线;

从存储器的第二部分读取写入的页的数据的第一页和从存储器的第一部分读取写入的页的数据的第一页;

在存储器电路上进行从存储器的第二部分读取的第一页数据与从第一部分读取的第一页数据的比较;

基于该比较,确定写入到第二部分中的第一页数据是否可能被损坏。

2.根据权利要求1的方法,其中,在所述存储器电路上进行所述确定。

3.根据权利要求2的方法,还包括:

响应于确定写入第二部分中的第一页数据可能被损坏,从存储器电路向控制器电路发送其指示。

4.根据权利要求3的方法,还包括:

在控制器电路上进行写入第二部分中的第一页数据是否可能被损坏的进一步确定;以及

响应于进一步确定写入到第二部分中的第一页数据可能被损坏,将该第一页数据重写到存储器的第二部分中。

5.根据权利要求1的方法,其中,所述第二部分由多个擦除块形成,且其中,在被写入了第一页的完整块的写入之后进行所述从存储器的第二部分读取写入的页的数据的第一页。

6.根据权利要求5的方法,所述方法还包括:

在存储器系统的存储器管理结构中将被写入了第一页的块标记为有缺陷的。

7.根据权利要求1的方法,还包括:

通过总线结构将所述比较从存储器电路传输到控制器电路,其中,在所述控制器电路上进行所述确定。

8.根据权利要求1的方法,其中所述进行比较包括:

进行从存储器的第二部分读取的第一页数据与从第一部分读取的第一页数据的异或操作;以及

其中,所述确定包括对从异或操作得到的1的数量计数。

9.一种操作非易失性存储器系统的方法,该存储器系统包括控制器电路和通过总线结构与该控制器电路连接的存储器电路,所述存储器电路具有以二进制格式存储数据的非易失性存储器的第一部分和以每单元N位的多状态格式存储数据的非易失性存储器的第二部分,其中,N是2或更大的整数,该方法包括:

在所述控制器电路处从主机接收多个至少N页的数据;

通过总线结构将多个页从所述控制器电路传输到所述存储器电路;

在所述存储器电路的第一部分中的对应多个字线上写入多个页;

将所述页的数据从存储器的第一部分写入到存储器的第二部分,其中,对于在第二部分中写入的每个字线,来自存储器的第一部分的N个对应字线的N页数据被写入到第二部分的单个字线;

从存储器的第二部分读取写入的第一多页数据和从存储器的第一部分读取写入的第一多页数据,并从存储器的第一部分读取写入的所述第一多页;

在存储器电路上进行从存储器的第二部分读取的第一多页数据和从第一部分读取的第一多页数据的组合比较;

基于该组合比较,确定写入到第二部分中的第一多页是否包括可能被损坏的数据页。

10.根据权利要求9的方法,其中形成组合比较包括:

进行从存储器的第二部分读取的第一多页数据与从第一部分读取的第一多页数据的异或运算。

11.根据权利要求10的方法,其中,所述确定包括对从异或操作得到的1的数量计数。

12.根据权利要求10所述的方法,其中,进行所述异或操作包括:

对于第一多页数据的每页,进行从存储器的第二部分读取的页与从存储器的第一部分读取的页的异或操作;以及

随后对于第一多页数据的每页,进行从存储器的第二部分读取的页与从存储器的第一部分读取的页的异或操作的异或操作。

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