[发明专利]用于真空断路器的触点组件

权利要求书

1.一种用于中断电流的触点组件（30），包括：

外部场产生元件（38），用于产生第一AMF；

内部场产生元件（50），用于产生与第一AMF相反的第二AMF；

其中，内部场产生元件（50）与外部场产生元件（38）同轴，并具有比外部场产生元件（50）小的直径；

其中，外部场产生元件（50）为杯形，并开有非径向狭槽（46），以便产生第一AMF。

2.根据权利要求1所述的触点组件（30），其中：

内部场产生元件（50）至少局部由杯形的外部场产生元件（38）包围。

3.根据权利要求1或2所述的触点组件（30），其中：

内部场产生元件是线圈，所述线圈定向成产生第二AMF。

4.根据前述任意一项权利要求所述的触点组件（30），其中：

内部场产生元件（50）为杯形，并开有非径向狭槽（54），以便产生第二AMF。

5.根据权利要求1至4所述的触点组件（30），其中：

外部场产生元件（38）和/或内部场产生元件（50）由双层或多层来形成，其中，至少一层由传导性硬材料（例如不锈钢）来制造，至少第二层由具有高热导率的传导性材料（例如铜、铜合金、银……）来制造。

6.根据前述任意一项权利要求所述的触点组件（30），还包括：

至少一个盖元件（40、52），用于接触另一触点组件，其中，外部场产生元件（38）和/或内部场产生元件（50）由所述至少一个盖元件来覆盖。

7.根据权利要求6所述的触点组件（30），其中：

所述至少一个盖元件（40、52）为板形，并具有狭槽。

8.根据权利要求6或7所述的触点组件（30），其中：

外部场产生元件（50）由外部盖元件（40）覆盖，所述外部盖元件具有与外部场产生元件（50）基本相同的径向延伸范围；

其中，内部场产生元件（50）由内部盖元件（52）覆盖，所述内部盖元件（52）具有与内部场产生元件（50）基本相同的径向延伸范围。

9.根据权利要求6或7所述的触点组件（30），其中：

盖元件（40）覆盖外部场产生元件和内部场产生元件（38、50），并具有与外部场产生元件（38）基本相同的径向延伸范围。

10.根据权利要求6-9任意一项所述的触点组件（30），还包括：

与内部场产生元件（50）同轴的支承元件（62），其中，支承元件（62）具有较高电阻，并用于支承盖元件（52）的中心。

11.根据前述任意一项权利要求所述的触点组件（30），还包括：

插针触点元件（66）；

其中，插针触点元件（66）与内部场产生元件（50）同轴；

插针触点元件（66）具有比内部场产生元件（50）小的直径。

12.根据权利要求11所述的触点组件（30），其中：

插针触点元件（66）穿过覆盖内部场产生元件和/或外部场产生元件（38、50）的盖元件（52）凸出。

13.根据权利要求11或12所述的触点组件（30），其中：

插针触点元件（66）至少局部由杯形的内部场产生元件（50）包围。

14.一种真空断路器（10），其具有至少一个触点电极（18、20），所述触点电极包括根据权利要求1至12中的一项所述的触点组件（30）。