[发明专利]采用被分解为多遍的阶梯波形的编程算法

权利要求书

1.一种编程非易失性存储器器件的方法，包括：

向第一字线施加形成增加幅度的阶梯的脉冲；

在向第一字线施加每个脉冲之后，对沿着该第一字线的存储器单元进行验证操作，

其中向第一字线施加脉冲系列作为所述阶梯的一系列多个的N个子集，该系列至少包括第一子集和第二子集，该第一子集包括所述阶梯的按照增加幅度的顺序依次施加的第一脉冲以及每个第N个后续脉冲，该第二子集包括所述阶梯的按照增加幅度的顺序依次施加的第二脉冲以及每个第N个后续脉冲，并且在施加第一子集之后施加第二子集；

响应于在与单元目标数据状态对应的子集的验证电平处的验证，锁定沿着第一字线的所述存储器单元以便不被进一步编程，其中每个子集使用不同验证电平集进行验证操作；以及

在施加第一子集之后并且在施加第二子集之前，解锁沿着所述第一字线的存储器单元以允许进一步编程。

2.如权利要求1的方法，还包括：

在解锁存储器单元以允许进一步编程之后并且在施加第二子集之前，进行预验证操作；以及

锁定以防止被以与单元的目标数据状态对应的预验证电平处预验证的那些存储器单元的第二子集编程。

3.如权利要求1的方法，其中所述非易失性存储器以多状态格式存储数据，并且所述验证操作对于多个数据状态验证沿着所述第一字线的存储器单元。

4.如权利要求1的方法，其中所述第一子集是模糊编程处理，其中，在施加第一子集之后但是在施加第二子集之前，存储器单元的分布未被完全解析为不同的多状态。

5.如权利要求1的方法，还包括：

对于第一和第二子集的至少一个，在第一脉冲之前，使用对于每个目标数据状态低于用于锁定存储器单元不被进一步编程的相应验证电平的初始验证电平集进行初始验证操作；以及

响应于在与单元的目标数据状态对应的子集的初始验证电平处的验证，更改存储器单元上的偏压以更慢地编程。

6.如权利要求5的方法，还包括：

对于第一和第二子集的至少一个，在每个脉冲之后，使用对于每个目标数据状态低于用于锁定存储器单元不被进一步编程的相应验证电平的初始验证电平集进行初始验证操作；以及

响应于在与单元的目标数据状态对应的子集的初始验证电平处的验证，更改存储器单元上的偏压以更慢地编程。

7.如权利要求5的方法，其中所述非易失性存储器以多状态格式存储数据，并且所述验证操作对于多个数据状态验证沿着第一字线的存储器单元。

8.如权利要求7的方法，其中用于多状态中的第一状态的初始验证电平与用于锁定多状态中的第二状态的验证电平相同，多状态中的第一状态不同于多状态中的第二状态。

9.如权利要求1的方法，还包括：

向第二字线施加形成增加幅度的阶梯的脉冲；以及

在向第二字线施加每个脉冲之后，对于沿着第二字线的存储器单元进行验证操作，

其中该脉冲系列被施加到第二字线作为所述阶梯的一系列多个的N个子集，该系列至少包括第一子集和第二子集，该第一子集包括所述阶梯的按照增加幅度的顺序依次施加的第一脉冲以及每个第N个后续脉冲，该第二子集包括所述阶梯的按照增加幅度的顺序依次施加的第二脉冲以及每个第N个后续脉冲，并且在施加第一子集之后施加第二子集；

响应于在与单元目标数据状态对应的子集的验证电平处的验证，锁定沿着第二字线的所述存储器单元以便不被进一步编程，其中每个子集使用不同验证电平集进行验证操作；以及

在施加第一子集之后并且在施加第二子集之前，解锁沿着所述第二字线的存储器单元以允许进一步编程，

其中在施加第一子集之后以及在施加第二子集之前施加沿着第二字线的第一子集。

10.如权利要求9的方法，其中所述第二字线与所述第一字线相邻。