[发明专利]被涂覆的电容传感器

权利要求书

1.一种形成MEMS装置的方法，包括：

提供基体；

在基体层之上形成牺牲层；

在牺牲层上形成硅基工作部分；

从牺牲层释放所述硅基工作部分，使得工作部分包括至少一个暴露外表面；

在硅基工作部分的所述至少一个暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属；以及

利用第一层硅化物形成金属形成第一硅化物层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成第一层硅化物形成金属包括：

在所述硅基工作部分的所有暴露外表面上形成第一层硅化物形成金属。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成第一层硅化物形成金属包括：

通过原子层沉积（ALD）形成第一层硅化物形成金属。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成第一硅化物层之后侵蚀硅化物形成金属的残留部分。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，形成第一硅化物层包括：

通过快速热退火（RTA）加热第一层硅化物形成金属。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，加热第一层硅化物形成金属包括：

将第一层硅化物形成金属加热到大约250℃-大约800℃的温度。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，加热第一层硅化物形成金属包括：

将第一层硅化物形成金属加热到小于大约450℃的温度。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

通过形成第二硅化物层形成结合金属。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

向第一硅化物层施加有机抗静态阻力涂层。

10.一种MEMS装置，包括：

被释放的硅基工作部分；以及

在硅基工作部分的所有本要暴露的表面上的第一硅化物层。

11.如权利要求10所述的MEMS装置，其特征在于，第一硅化物层通过在被释放的硅基工作部分上的硅化物形成金属的原子层沉积（ALD）并随后退火以形成硅化物来形成。

12.如权利要求10所述的MEMS装置，其特征在于，还包括：

硅基基体，其具有位于被释放的硅基工作部分之下的本要暴露的部分；以及

位于硅基基体的本要暴露的部分上的第二硅化物层。

13.如权利要求10所述的MEMS装置，其特征在于，被释放的硅基工作部分限定在硅基工作层中，所述MEMS装置还包括：

限定在硅基工作层中的锚固部分；以及

在锚固部分的所有本要暴露的表面上的第二硅化物层。

14.如权利要求13所述的MEMS装置，其特征在于，还包括：形成在硅基工作层的结合部分的上表面上的结合垫；以及

位于结合部分的所有本要暴露的表面上的第三硅化物层。

15.如权利要求13所述的MEMS装置，其特征在于，还包括限定在硅基工作层中的结合部分；以及

位于结合部分的所有本要暴露的表面上的第三硅化物层。

16.如权利要求10所述的MEMS装置，其特征在于，还包括：施加到第一硅化物层的有机抗静态阻力涂层。