[发明专利]用于挠性电子装置的高吞吐量外延剥离

权利要求书

1.一种从基础衬底（10）释放半导体器件层（16）的方法，所述方法包括：

在基础衬底（10）的上表面上形成牺牲含磷化物层（14）；

在所述牺牲含磷化物层（14）的上表面上形成半导体器件层（16）；

从所述半导体器件层（16）和所述基础衬底（10）之间去除所述牺牲含磷化物层（14），其中所述去除包括用不含HF的蚀刻剂蚀刻。

2.根据权利要求1的方法，其中所述基础衬底（10）是III-V化合物半导体材料。

3.根据权利要求1或2的方法，其中所述基础衬底（10）是含Ge半导体材料。

4.根据权利要求1-3中任一个的方法，还包括在所述含-Ge半导体衬底（10）和所述牺牲含磷化物层（14）之间形成半导体缓冲层（12）。

5.根据权利要求4的方法，其中所述半导体缓冲层（12）是III-V化合物半导体材料。

6.根据权利要求1-5中任一个的方法，其中所述非HF蚀刻剂是不含HF的酸。

7.根据权利要求6的方法，其中所述不含HF的酸选自HCl、HBr、HI及其混合物组成的组。

8.根据权利要求1-7中任一个的方法，其中在从室温高至但不超出所述不含HF的蚀刻剂的沸点的温度下进行利用所述不含HF的蚀刻剂的所述牺牲含磷化物层（14）的所述去除。

9.根据权利要求1-8中任一个的方法，其中在从所述基础衬底（10）和所述半导体器件层（16）之间去除所述牺牲含磷化物层（14）之后，所述基础衬底（10）具有的RMS表面粗糙度从0.1nm到0.5nm或者在初始RMS粗糙度的±0.5nm内。

10.根据权利要求1-9中任一个的方法，其中所述牺牲含磷化物层（14）由磷和至少一种比磷的电负性小的元素的化合物构成。

11.根据权利要求10的方法，其中所述牺牲含磷化物层（14）包括InAlP、InGaP、InAsP、GaAsP、InGaAlP、InGaAsP、GaP、InP以及含磷化物合金。

12.根据权利要求1-11中任一个的方法，其中所述牺牲含磷化物层（14）是与所述基础衬底(10)和所述半导体器件层（16）不同的半导体材料。

13.根据权利要求1-12中任一个的方法，其中所述牺牲含磷化物层（14）是与所述半导体器件层（16）相同的材料并且其中在所述半导体器件层（16）和所述牺牲含磷化物层（14）之间形成第一保护层（20）并且其中在所述半导体器件层（16’）的暴露表面上形成第二保护层（22）。

14.一种从基础衬底（10）释放半导体器件层（16）的方法，所述方法包括：

在基础衬底（10）的上表面上形成半导体缓冲层（12）；

在所述半导体缓冲层（12）的上表面上形成牺牲含磷化物层（14）；

在所述牺牲含磷化物层（14）的上表面上形成半导体器件层（16）；

去除位于所述半导体器件层（16）和所述基础衬底（10）之间的所述牺牲含磷化物层（14），其中所述去除包括用不含HF的蚀刻剂蚀刻。

15.根据权利要求14的方法，还包括从所述基础衬底（10）顶部去除所述半导体缓冲层（12）。

16.根据权利要求14或15的方法，其中所述基础衬底（10）是III-V族化合物半导体材料。

17.根据权利要求14-16中任一个方法，其中所述基础衬底（10）是含Ge半导体衬底。

18.根据权利要求17的方法，其中所述含Ge半导体材料包括硅锗合金。

19.根据权利要求14-18中任一个的方法，其中所述非HF蚀刻剂是不含HF的酸。

20.根据权利要求19的方法，其中所述不含HF的酸选自HCl、HBr和HI及其混合物组成的组。

21.根据权利要求14-20中任一个的方法，其中在从室温高至但不超出所述不含HF的蚀刻剂的沸点的温度下进行利用所述不含HF的蚀刻剂的所述牺牲含磷化物层（14）的所述去除。