[发明专利]高耐压半导体装置

权利要求书

1.一种高耐压半导体装置，其特征在于，具备：

第2导电型半导体区域，其设置于第1导电型半导体基板上；

逻辑电路，其设置于所述半导体区域的表面层；

绝缘栅型场效应晶体管，其具有在所述半导体区域的外周侧设置的第2导电型源极区域、在所述半导体区域上隔着绝缘膜设置的栅极电极以及与所述半导体区域的外周端分开预定距离而设置在所述半导体区域的表面层的第2导电型漏极区域；

第2导电型拾取区域，其与所述半导体区域的外周端分开所述预定距离并在所述半导体区域的表面层与所述漏极区域分开而设置；以及

第1导电型开口部，其在从所述漏极区域起至经由所述半导体区域的夹在所述漏极区域与所述第2导电型拾取区域之间的部分到达所述第2导电型拾取区域的靠所述漏极区域侧的一部分的部分为止的区域与所述逻辑电路之间，与所述漏极区域、所述第2导电型拾取区域以及所述逻辑电路分开设置，并从所述半导体区域的表面达到所述半导体基板；

并具备负载电阻，其由所述半导体区域的、夹在所述漏极区域与所述第2导电型拾取区域之间的部分构成。

2.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述负载电阻为，在所述半导体区域的夹在所述漏极区域与所述第2导电型拾取区域之间的部分以与所述漏极区域和所述第2导电型拾取区域接触的方式设置的杂质浓度比所述半导体区域高的第2导电型缓冲区域。

3.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，还具备：

第1导电型基极区域，其在所述半导体区域的外周侧的表面层以环状设置；

第1导电型拾取区域，其设置于所述基极区域的内部，并且

所述源极区域设置于所述基极区域的内部。

4.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述开口部为，所述半导体区域的在与所述半导体基板侧相反的一侧的表面上使所述半导体基板露出的区域。

5.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述开口部为，在所述半导体基板的表面层上选择性地形成的、杂质浓度比所述半导体基板高的第1导电型扩散区域。

6.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述开口部具有从所述半导体基板的表面向所述半导体基板的深度方向所形成的沟槽和埋设所述沟槽内的绝缘体。

7.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，在通过所述开口部与所述半导体区域的pn结以及所述半导体区域与所述半导体基板的pn结进行雪崩击穿之前，从所述pn结向所述开口部内扩展的耗尽层彼此相互接触。

8.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述半导体区域为在所述半导体基板上形成的第2导电型外延生长层。

9.根据权利要求1所述的高耐压半导体装置，其特征在于，所述半导体区域由设有所述逻辑电路的第1区域和包围该第1区域的第2区域构成，

所述第1区域由第1扩散区域构成，所述第2区域由杂质浓度比所述第1扩散区域低的第2扩散区域构成。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的高耐压半导体装置，其特征在于，在所述半导体区域的内部以环绕所述逻辑电路的方式设有第1导电型偏置区域。

11.根据权利要求3所述的高耐压半导体装置，其特征在于，在所述半导体区域的内部以环绕所述逻辑电路的方式设有第1导电型偏置区域，

所述偏置区域与所述基极区域或者所述开口部、或者与所述基极区域和所述开口部相接触。