[发明专利]用于蚀刻与蚀刻掩模纵向间隔开的材料的方法

权利要求书

1.一种微加工过程，包括：

在晶片上形成多个层，所述多个层包括支承层和给定层；

至少部分在所述支承层上形成掩模，所述掩模具有掩模孔，所述支承层在所述掩模孔与所述给定层之间，所述支承层使所述掩模孔与所述给定层纵向间隔开；以及

通过所述掩模孔将特征蚀刻到所述给定层内。

2.如权利要求1所述的微加工过程，其中蚀刻包括引导第一蚀刻剂通过所述掩模与所述给定层之间的空隙。

3.如权利要求2所述的微加工过程，进一步包括：

去除所述掩模与所述给定层之间的材料来形成所述空隙，去除包括引导初步蚀刻剂通过所述掩模中的掩模孔。

4.如权利要求2所述的微加工过程，其中所述第一蚀刻剂包括反应离子蚀刻材料，所述第一蚀刻剂经过所述掩模孔和所述空隙来将所述特征蚀刻到所述给定层内。

5.如权利要求2所述的微加工过程，其中所述空隙具有壁，其带有如果被接触能被所述第一蚀刻剂蚀刻的暴露材料，所述第一蚀刻剂使暴露材料大致上未被蚀刻。

6.如权利要求2所述的微加工过程，其中所述特征包括通过所述给定层的层孔。

7.如权利要求6所述的微加工过程，其中所述层孔包括特征最大内部尺寸，所述掩模孔具有孔最大内部尺寸，其大致上与所述特征最大内部尺寸相同。

8.如权利要求6所述的微加工过程，其中所述空隙具有空隙最大内部尺寸，所述掩模孔具有孔最大内部尺寸，所述孔最大内部尺寸小于所述空隙最大内部尺寸。

9.如权利要求8所述的微加工过程，其中所述多个层包括更深层，所述更深层通过所述层孔暴露于空隙，所述方法进一步包括引导第二蚀刻剂通过所述掩模孔、空隙和层孔来去除所述更深层的至少一部分。

10.如权利要求9所述的微加工过程，其中所述第一蚀刻剂包括氧化蚀刻剂，并且所述第二蚀刻剂包括硅蚀刻剂。

11.如权利要求1所述的微加工过程，其中所述多个层包括第一背板层与第二背板层之间的隔膜层。

12.如权利要求1所述的微加工过程，其中所述支承层包括结构层并且所述给定层包括牺牲层。

13.一种微加工方法，包括：

提供具有多个层的晶片，所述多个层包括具有第一牺牲材料的第一层、介入层和具有第一牺牲材料的第二层，

所述第一层中的所述第一牺牲材料与所述第二层中的所述第一牺牲材料不邻接，所述介入层使所述第一层中的所述第一牺牲材料与所述第二层中的所述第一牺牲材料分离；

在所述晶片上形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模具有掩模孔，所述掩模孔与所述介入层间隔开；

引导第一蚀刻剂通过所述掩模孔以从所述第一层去除所述第一材料中的至少一些来形成在所述介入层处终止的空隙；以及

将定向蚀刻剂传递通过所述掩模孔和所述空隙来形成通过所述介入层的介入层孔。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述介入层孔使所述第二层中的第一材料暴露，所述方法进一步包括将蚀刻剂传递通过所述掩模孔、空隙和介入层孔来去除所述第二层中的第一材料的至少一部分。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述晶片具有至少部分支承所述蚀刻掩模的支承层，所述支承层在所述蚀刻掩模与所述第一层之间。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述第一牺牲材料包括硅。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述空隙具有空隙最大内部尺寸，所述掩模孔具有孔最大内部尺寸，所述孔最大内部尺寸小于所述空隙最大内部尺寸。

18.一种形成MEMS麦克风的方法，所述方法包括：

提供晶片，其具有下背板层、上背板层以及顶部与下背板层之间的隔膜层，所述晶片在所述隔膜层与所述上背板层之间具有第一牺牲层和第二牺牲层；

在所述晶片上形成具有掩模孔的蚀刻掩模，所述上背板层在所述掩模孔与所述第一牺牲层之间，所述背板层使所述掩模孔与所述第一牺牲层间隔开；

将第一蚀刻剂传递通过所述掩模孔来形成在所述第一牺牲层处终止的空隙；

将第二蚀刻剂传递通过所述掩模孔和所述空隙来形成通过所述第一牺牲层的阴影孔。