[发明专利]高纯度铜锰合金溅射靶无效
| 申请号： | 201280044705.2 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103797152A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 长田健一;大月富男;冈部岳夫;牧野修仁;福岛笃志 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/05;H01L21/285;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 合金 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C为2重量ppm以下，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，溅射该靶而在晶片上成膜时，C、或者选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素、或者包含C和选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素的化合物的直径0.08μm以上的粉粒的数量为平均50个以下。
2.如权利要求1所述的高纯度铜锰合金溅射靶，其特征在于，直径0.08μm以上的粉粒的数量为平均20个以下。
3.一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，C为2重量ppm以下，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，溅射该靶而在晶片上成膜时，C、或者选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素、或者包含C和选自Mn、Si、Mg中的至少一种元素的化合物的直径0.20μm以上的粉粒的数量为平均30个以下。
4.如权利要求3所述的高纯度铜锰合金溅射靶，其特征在于，直径0.20μm以上的粉粒的数量为平均10个以下。
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