[发明专利]用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法无效
| 申请号： | 201280044409.2 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103797667A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 高木慎平 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制作 iii 氮化物 半导体激光器 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法。
背景技术
专利文献1公开了与在包括其c轴朝向m轴倾斜的六方晶系III族氮化物半导体的支撑基体的半极性面上具有低阈值电流的III族氮化物半导体激光器件相关联的技术。构成激光腔的第一和第二断裂面与m-n面相交。III族氮化物半导体激光器件具有在m-n面和半极性面之间的相交线的方向上延伸的激光波导。因此，能够通过具有低阈值电流的带间跃迁来产生光。在激光结构中第一表面与第二表面相对。第一和第二断裂面从第一表面的边缘向第二表面的边缘延伸。第一和第二断裂面不是通过干法蚀刻得到的，并且与诸如c面、m面和a面常规解理面不同。与专利文献1相关联的技术，如在非专利文献1中公开了的技术是已知的。
引用文献
专利文献
专利文献1：日本未审查专利申请公布No.2011-3660
非专利文献
非专利文献1：Anurag TYAGI，Hong ZHONG，Roy B.CHUNG，Daniel F.FEEZELL，Makoto SAITO，Kenji FUJITO1，James S.SPECK，Steven P.DENBAARS和Shuji NAKAMURA的“Semipolar(10-1-1)InGaN/GaN Laser Diodes on Bulk GaN substrate（GaN块结构上的半极性（10-1-1）InGaN/GaN激光二极管）”，Japanese Journal of Applied Physics（日本应用物理学报），Vol.46，No.19，2007，pp.L444-L445
发明内容
技术问题
如专利文献1中描述的，在沿着c面中朝向m轴偏离的半极性面上形成利用半极性面的III族氮化物半导体激光器件的激光波导。在这种结构中，与激光波导正交的激光腔镜不能容易地难以通过常规的解理工艺来产生，因而通过断裂工艺（fracturing process）来产生。作为激光器件的激光腔镜来说，通过断裂形成用于激光腔镜的需求是符合要求的。换句话说，期望具有低激光阈值电流的激光腔镜的稳定供应。因此，鉴于上述情形完成的本发明的目的是提供一种用于制作III族氮化物半导体激光器件的方法，其通过利用半极性面而能够稳定地供应具有低激光阈值电流的激光腔镜。
解决问题的方案
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