[发明专利]光伏器件

权利要求书

1.一种形成光伏器件的方法，包括：

提供包括p-n结的半导体衬底，所述半导体衬底具有一个在另一个顶上的p型半导体部分和n型半导体部分，其中所述半导体部分中的一者的上部暴露表面代表所述半导体衬底的正侧表面；

在所述半导体衬底的所述正侧表面上形成构图的抗反射涂层，以在所述正侧表面上提供格子图形，所述格子图形包括所述半导体衬底的所述正侧表面的暴露部分；

在所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分上形成多金属半导体合金层，其中所述多金属半导体合金层包括在第一退火温度下形成半导体合金的至少一种第一元素金属、以及不同于所述第一元素金属并且在所述第一退火温度下不形成金属半导体合金的至少一种第二元素金属；以及

在所述多金属半导体合金层顶上电沉积含铜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分上形成多金属半导体合金层包括：电沉积包含所述第一和第二元素金属的多金属层、以及在与所述第一退火温度相同或者高于所述第一退火温度的温度下进行退火。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一元素金属是Ni，并且所述第二元素金属是Co、Fe、Pt、Pd、W、Mo、Ag、Sn、Zn或Ru。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一元素金属是Co，并且所述第二元素金属是Fe、Pt、Pd、W、Mo、Ag、Sn、Zn或Ru。

5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述多金属半导体合金层的所述第一元素金属与所述第二元素金属的比率为10000:1到1:100。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多金属半导体合金层的所述第一元素金属与所述第二元素金属的比率为100:1到1:10。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，还包括：在电沉积所述含铜层之前，在所述多金属半导体合金层的上部暴露表面上电沉积金属扩散阻挡层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属扩散阻挡层包含Ni、Co、P、S及其任何组合。

9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述n型半导体部分覆盖在所述p型半导体部分上。

10.根据权利要求2-9中任一项所述的方法，其中，所述退火的所述温度为约250℃或更高。

11.根据权利要求7-10中任一项所述的方法，其中，所述多金属半导体合金层包含Ni作为所述第一元素金属以及Co、Fe、Pt、Pd、W、Mo、Ag、Sn、Zn或Ru作为所述第二元素金属，所述金属扩散阻挡层包含镍，并且所述含铜层包含铜。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二元素金属是Co。

13.根据权利要求7-10中任一项所述的方法，其中，所述多金属半导体合金层包含Ni作为所述第一元素金属以及Co、Fe、Pt、Pd、W、Mo、Ag、Sn、Zn或Ru作为所述第二元素金属，所述金属扩散阻挡层包含钴，并且所述含铜层包含铜。

14.根据权利要求7-10中任一项所述的方法，其中，所述多金属半导体合金层包含Co作为所述第一元素金属以及Fe、Pt、Pd、W、Mo、Ag、Sn、Zn或Ru作为所述第二元素金属，所述金属扩散阻挡层包含Ni或Co，并且所述含铜层包含铜。

15.一种形成光伏器件的方法，包括：

提供包括p-n结的半导体衬底，所述半导体衬底具有一个在另一个顶上的p型半导体部分和n型半导体部分，其中所述半导体部分中的一者的上部暴露表面代表所述半导体衬底的正侧表面；

在所述半导体衬底的所述正侧表面上形成构图的抗反射涂层，以在所述正侧表面上提供格子图形，所述格子图形包括所述半导体衬底的所述正侧表面的暴露部分；

在所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分上形成多金属层，其中所述多金属层包括在第一退火温度下形成半导体合金的至少一种第一元素金属、以及不同于所述第一元素金属并且在所述第一退火温度下不形成金属半导体合金的至少一种第二元素金属；以及

将所述多金属层转化成由所述第一元素金属和半导体成分构成的单金属半导体合金层；以及

在所述单金属半导体合金层顶上电沉积含铜层。