[发明专利]光电子器件及其应用

权利要求书

1.一种光电子器件，包括：

第一电极；

第二电极；

发光复合有机层，配置在所述第一电极与所述第二电极之间，所述发光复合有机层包括单态发射极相和三态发射极相；以及

第一介电层，配置在所述发光复合有机层与所述第一电极或所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，所述单态发射极相包含一种或多种共轭聚合物或低聚物、小分子或它们的混合物。

3.根据权利要求2所述的光电子器件，其中，所述一种或多种共轭聚合物或低聚物包括含有选自由重复单元A、B和C组成的组中的至少两种重复单元的共轭聚合物或低聚物：

其中，表示所述聚合物或低聚物链中的连接点，X选自由S、O、Se和NR₅组成的组，并且R₁、R₂、R₅、R₆、R₇、R₈和R₉独立地选自由氢、C_1-20烷基、C_2-20烯基、C_8-12烷基和C_8-12烯基组成的组，并且R₃和R₄独立地选自于由芳基和杂芳基组成的组，其中R₁、R₂、R₅、R₆、R₇、R₈和R₉的所述烷基和烯基以及R₃和R₄的所述芳基和杂芳基可选地独立地被选自由-烷基、-烯基、-芳基、-杂芳基、-烷基-芳基、-烷基-杂芳基、-烯基-芳基和-烯基-杂芳基组成的组中的取代基取代一次或多次。

4.根据权利要求3所述的光电子器件，其中，R₃和R₄独立地选自由吡啶基、吡喃基、吡啶基、联吡啶基、苯基吡啶基、噻吩基、呋喃基、硒苯基、芴基、咔唑基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基、嘌呤基、噁唑基和异噁唑基和它们的低聚物组成的组。

5.根据权利要求3所述的光电子器件，其中，所述共轭聚合物或低聚物是式（I）的共轭聚合物或低聚物：

其中，x和y独立地为1～10,000范围内的整数。

6.根据权利要求3所述的光电子器件，其中，所述共轭聚合物或低聚物是式（II）的共轭聚合物或低聚物：

其中，x和y独立地为1～10,000范围内的整数。

7.根据权利要求3所述的光电子器件，其中，所述共轭聚合物或低聚物是式（III）的共轭聚合物或低聚物：

其中，x和y独立地为1～10,000范围内的整数。

8.根据权利要求3所述的光电子器件，其中，所述共轭聚合物或低聚物是式（IV）的共轭聚合物或低聚物：

其中，x、y和z独立地为1～10,000范围内的整数。

9.根据权利要求2所述的光电子器件，其中，所述一种或多种共轭聚合物或低聚物包含式（V）的结构单元：

其中，表示所述聚合物或低聚物链中的连接点，并且R₁₆和R₁₇独立地选自由氢、C_1-20烷基、C_2-20烯基、C_8-12烷基和C_8-12烯基组成的组，并且其中R₁₆和R₁₇的所述烷基和烯基可选地独立地被选自由-烷基、-烯基、-芳基、-杂芳基、-烷基-芳基、-烷基-杂芳基、-烯基-芳基和-烯基-杂芳基组成的组中的取代基取代一次或多次。

10.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，所述三态发射极相包含磷光性过渡金属络合物。

11.根据权利要求10所述的光电子器件，其中，所述三态发射极相分散在所述单态发射极相中。