[发明专利]具有增强型部分电源的通信系统及其制造方法无效
| 申请号: | 201280043578.4 | 申请日: | 2012-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN103957773A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 杰里米·弗兰克;彼得·比杰勒帝赫;霍曼·哈菲奇;罗伯特·阿塞韦多;罗伯特·达克;伊利娅·佩西克;本尼迪克特·科斯特洛;艾瑞克·斯奈德 | 申请(专利权)人: | 普罗秋斯数字健康公司 |
| 主分类号: | A61B1/273 | 分类号: | A61B1/273;H04B7/24 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;毋二省 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 增强 部分 电源 通信 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造包括部分电源的通信装置的方法,所述方法包括以下步骤:
将粘附材料层沉积到支撑结构的第一位置上,其中所述粘附材料层限定有多个孔;
将第一材料沉积到所述粘附材料层上,其中所述第一材料粘附到所述粘附材料层;
将过渡材料层沉积在所述支撑结构的第二位置上;以及
将第二材料沉积到所述过渡材料层上,其中当所述第一材料和所述第二材料与导电流体形成接触时,所述第一材料和所述第二材料呈现电压电势差。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘附材料层是金。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括毛化所述金的表面以增强粘附性质的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述支撑结构是硅基材料。
5.根据权利要求1所述的方法,其中沉积所述第一材料的步骤包括使用电子束的蒸发沉积。
6.根据权利要求2所述的方法,其中所述粘附材料层的厚度小于100微米。
7.根据权利要求1所述的方法,其中沉积过渡材料层的步骤包括以下步骤:
将所述过渡材料层沉积到所述支撑结构上;
加热沉积有所述过渡材料层的所述支撑结构;以及
清洁所述过渡材料层的暴露表面,使得所得结构准备好接纳所述第二材料。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述清洁所述暴露表面的步骤进一步包括用离子枪进行清洁。
9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将聚合物旋涂到所述装置上以提供保护性涂层的步骤。
10.根据权利要求7所述的方法,进一步包括旋转所述装置以将聚合物均匀地分布在所述装置的表面上的步骤。
11.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将所述装置插入到不导电膜中的步骤。
12.一种制造多个通信装置的方法,其中每一装置包括不导电膜和部分电源装置,所述方法包括以下步骤:
在不导电材料片中切出多个开口以产生组装膜片,其中每一开口的形状对应于所述装置的框架的形状;以及
将从多个所述部分电源装置中选出的一个部分电源装置插入到所述组装膜的每一开口中以产生加载膜片,其中根据一种工艺来制备每一部分电源装置,所述工艺包括在支撑结构的与具有粘附材料的表面相反的表面上沉积过渡金属层的步骤。
13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括以下步骤:
将不反应材料层沉积到所述加载膜片上位于与所述过渡金属相反的侧面上以产生粘附膜片,其中所述不反应材料层限定有多个孔;
将第一材料沉积到所述粘附膜片上位于具有所述粘附材料的侧面上,其中所述第一材料粘附到所述不反应材料;
将第二材料沉积到所述过渡金属层上以产生部分电力装置片,其中所述第一材料和所述第二材料呈现电压电势差。
14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括在所述支撑结构上限定多个边界的步骤,其中每一边界对应于每一装置的电路。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述沉积不反应材料层的步骤进一步包括限定孔群组的步骤,其中每一孔群组被包含在从所述多个边界中选出的一个边界以内,使得所述孔群组内的每一孔的位置在对应的边界以内。
16.一种用于通信的包括部分电源的装置,其中所述装置通过一种工艺来制备,所述工艺包括以下步骤:
将粘附材料层沉积到支撑结构的第一位置上,其中所述粘附材料层限定有多个孔;
将第一材料沉积到所述粘附材料层上,其中所述第一材料粘附到所述粘附材料层;
将过渡材料层沉积到所述支撑结构的第二位置上;
将第二材料沉积到所述过渡材料层上,其中当所述第一材料和所述第二材料与导电流体形成接触时,所述第一材料和所述第二材料呈现电压电势差。
17.根据权利要求1所述的方法,其中所述过渡材料是钛。
18.一种用于通信的包括部分电源的装置,其中所述装置包括:
支撑结构,其由硅材料制成;以及
CuCl层,其使用物理气相沉积来沉积在所述支撑结构的第一位置上。
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