[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201280043147.8 | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN103782367B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 许官善;絏竣淏 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/203;H01L21/324 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 姜虎,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置,所述基板处理装置在形成腔室的本体的外侧设有冷却单元。
背景技术
基板处理装置应用于平板显示器的生产,并大致分为蒸镀(Vapor Deposition)装置和退火(Annealing)装置。
蒸镀装置作为形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置,分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)等方式的化学气相蒸镀装置和溅射(Sputtering)等方式的物理气相蒸镀装置。
退火装置在基板上蒸镀膜以后,提高蒸镀后的膜的特性,是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
一般地,基板处理装置分为对一个基板进行处理的单片式(Single Substrate Type)基板处理装置和对多个基板进行处理的批处理式(Batch Type)基板处理装置。单片式基板处理装置虽然结构简单,但生产率较低,因此,在大批量的生产中多使用批处理式基板处理装置。
基板处理装置包括:本体,其内部形成有作为基板处理空间的腔室;托架,设置在所述本体的内部,用于支撑基板;多个加热器,设置在所述本体的内部,用于产生所述基板处理所需的热量;冷却单元,为了冷却被热处理的基板,向所述本体的内部导入冷却气体后排出。
如上所述的现有基板处理装置中,所述冷却单元设置在所述本体的内部。
因此,在所述本体上设置所述冷却单元比较困难,而且对设置在所述本体上的所述冷却单元进行维修时存在困难。
发明内容
技术问题
本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的,本发明目的在于提供一种基板处理装置,由于用于冷却基板的冷却单元设置在本体的外侧,从而容易设置,而且容易维修。
问题解决手段
为了实现上述目的,本发明涉及的基板处理装置包括:本体,在内部形成有作为基板被处理的空间的腔室,加热器,位于所述本体的内部,用于产生所述基板处理所需的热量;冷却单元,设置在所述本体的外表面上,向所述本体的内部导入用于冷却被热处理的基板的冷却气体后,排出至所述本体的外部。
发明效果
本发明涉及的基板处理装置中,用于强制冷却被处理的基板的冷却单元支撑并设置在形成腔室的本体的外表面上。因此,能够方便地在本体上设置冷却单元,且便于进行维修。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的立体图。
图2是表示在图1中的冷却单元的立体图。
图3是表示在图2中的冷却单元的主要部位放大图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例,所属领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的多种实施例虽然有所不同,但不应理解为相互排斥。例如,记载于此的一实施例的特定形状、特定结构以及特性,在不超出本发明的精神以及范围的基础上,可以以其他实施例的形式体现。而且,应理解为,每个公开的实施例中的个别的构成要素的位置或设置,可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此,后述的详细说明并非旨在限定,本发明的范围只限定于所有权利要求及其等同范围。为了便于说明,附图所示的实施例有可能对长度、面积、厚度及形态进行夸大表示。
以下参照附图来详细说明本发明的一实施方式的基板处理装置。
基板处理应理解为包括:加热以及冷却基板的工艺;用于在基板上蒸镀规定的膜的所有工艺;对蒸镀在基板上的规定的膜进行退火、结晶化或相变化的所有热处理工艺。此外,对基板的材质没有特别的限制,可以由玻璃、树脂、聚合物、硅晶片或者不锈钢等材质形成。
图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的立体图。
如图所示,本实施方式的基板处理装置包括形成外观的大体呈直六方体形状的本体110。本体110的内部形成有作为基板50的处理空间的腔室111,腔室111形成为封闭的空间。本体110的形状不限于直六方体形状,可以根据基板50的形状形成为多种形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造