[发明专利]用于RFID电路的阻隔层电介质无效
| 申请号： | 201280043141.0 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103782445A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | V·阿兰西奥;J·R·多尔夫曼 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;C08G18/08;C09J175/00;H05K3/12;G06K19/077 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 rfid 电路 阻隔 电介质 | ||
【权利要求书】：
1.聚合物厚膜阻隔层电介质组合物，包含：
(a)80-98重量%的有机介质，其包含10-50重量%溶于第一有机溶剂中的热塑性氨基甲酸乙酯树脂，其中所述有机介质的重量百分比以所述聚合物厚膜阻隔层电介质组合物的总重量计，并且其中所述热塑性氨基甲酸乙酯树脂的重量百分比以所述有机介质的总重量计；以及
(b)2-20重量%的第二有机溶剂，其中所述第二有机溶剂为双丙酮醇，并且其中所述第二有机溶剂的重量百分比以所述聚合物厚膜阻隔层电介质组合物的总重量计。
2.根据权利要求1所述的聚合物厚膜阻隔层电介质组合物，其中所述热塑性氨基甲酸乙酯树脂为氨基甲酸乙酯均聚物或聚酯基的共聚物。
3.根据权利要求2所述的聚合物厚膜阻隔层电介质组合物，其中所述热塑性氨基甲酸乙酯树脂为聚酯基的共聚物。
4.根据权利要求1所述的聚合物厚膜阻隔层电介质组合物，还包含热解法二氧化硅。
5.RFID电路，包含由权利要求1-4中任一项的聚合物厚膜阻隔层电介质组合物形成的阻隔层电介质。
6.RFID电路，包含由权利要求1-4中任一项的聚合物厚膜阻隔层电介质组合物形成的阻隔层电介质，其中所述RFID电路为热成型的。
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