[发明专利]具有锚固结构的焊接掩模有效

专利信息
申请号: 201280042748.7 申请日: 2012-08-27
公开(公告)号: CN103782382A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 安德鲁·科威朗;罗登·R·托帕奇奥;谢玉玲;伊普·森·洛 申请(专利权)人: ATI科技无限责任公司;超威半导体公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/56
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要:
搜索关键词: 具有 锚固 结构 焊接
【权利要求书】:

1.一种制造方法,其包括:

在位于衬底(20)的侧面(117)上的焊接掩模(115)中形成第一开口(125),所述第一开口(125)不延伸至所述侧面(117);以及

在所述焊接掩模(115)中形成延伸至所述侧面(117)的第二开口(119)。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述侧面包括导体(110),所述第二开口暴露了所述导体的至少一部分。

3.如权利要求1所述的方法,其包括将底部填充物(25)放置在所述焊接掩模上以使得其一部分(141)凸出至所述第一开口中。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述焊接掩模包含光敏化合物并且所述形成所述第一开口和第二开口包括光刻图案化所述第一开口和第二开口。

5.如权利要求4所述的方法,其中所述光刻图案化包括:掩蔽所述焊接掩模的第一部分(315)和第二部分(320);使所述焊接掩模暴露于第一辐射剂量以便使所述第一部分和第二部分保留不固化;掩蔽所述焊接掩模的所述第二部分(320)但不掩蔽所述第一部分(315);使所述焊接掩模的所述第一部分暴露于小于所述第一光剂量的第二光剂量以便使所述第一部分的紧邻所述侧面的区域(343)保留不固化;以及使所述焊接掩模显影以便形成所述第一开口和第二开口。

6.如权利要求4所述的方法,其中所述光刻图案化包括:用掩模(360)来掩蔽所述焊接掩模的第一部分和第二部分,所述掩模(360)包括具有第一侧向尺寸(X3)的第一不透明结构(370)和具有第二侧向尺寸的第二不透明结构(385);使所述焊接掩模暴露于辐射(405)以便使所暴露的部分固化,其中所述第一侧向尺寸被选择来使得所述光能够在所述焊接掩模内部相互作用,以便使紧邻所述侧面的区域(420)固化但使所述第一部分的紧邻所述掩模(365)的区域(395)保留不固化;以及使所述绝缘层显影以便形成所述第一开口和第二开口。

7.如权利要求4所述的方法,其中所述光刻图案化包括:用掩模(185)掩蔽所述焊接掩模(115)的第一部分和第二部分,所述掩模(185)具有处于所述焊接掩模的所述第一部分上方的部分透射部分(230)和处于所述焊接掩模的所述第二部分上方的不透明部分(215);使所述焊接掩模暴露于辐射(180),以便使所述第一部分(205)的紧邻所述掩模(175)但不紧邻所述侧面(117)的溶解性部分地改变,而不改变所述第二部分(190)的所述溶解性;以及使所述焊接掩模显影以便形成所述第一开口和第二开口。

8.如权利要求1所述的方法,其包括形成具有锥形侧壁的所述第一开口和第二开口。

9.如权利要求1所述的方法,其包括通过激光钻孔来形成所述第一开口和第二开口。

10.如权利要求1所述的方法,其中所述第一开口和第二开口是使用存储在计算机可读介质中的指令来形成。

11.如权利要求1所述的方法,其包括将半导体芯片(15)连接至所述衬底。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述衬底包括电路板。

13.一种制造方法,其包括:

将半导体芯片(15)连接至衬底(20)的侧面(117),所述侧面包括焊接掩模(115),所述焊接掩模(115)具有不延伸至所述侧面的第一开口(125);以及

将底部填充物(25)放置在所述半导体芯片与所述焊接掩模之间,所述底部填充物的一部分(141)凸出至所述第一开口中。

14.如权利要求13所述的方法,其中所述焊接掩模包含光敏化合物和延伸至所述侧面的第二开口,所述方法进一步包括光刻图案化所述第一开口和第二开口。

15.如权利要求14所述的方法,其中所述光刻图案化包括:掩蔽所述焊接掩模的第一部分(315)和第二部分(320);使所述焊接掩模暴露于第一辐射剂量以便使所述第一部分和第二部分保留不固化;掩蔽所述焊接掩模的所述第二部分但不掩蔽所述第一部分;使所述焊接掩模的所述第一部分暴露于小于所述第一光剂量的第二光剂量以便使所述第一部分的紧邻所述侧面的区域(343)保留不固化;以及使所述焊接掩模显影以便形成所述第一开口和第二开口。

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