[发明专利]并入了添加剂的透明导体以及相关的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280042647.X 申请日: 2012-06-28
公开(公告)号: CN103947002B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: A·D·斯里尼瓦斯;M·R·罗宾逊;M·E·扬 申请(专利权)人: 苏州诺菲纳米科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H05B33/26;H01L51/56;H01B5/14
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 并入 添加剂 透明 导体 以及 相关 制造 方法
【权利要求书】:

1.透明导体,其包括:

导电性陶瓷的膜;以及

至少部分地并入所述膜中的添加剂,所述添加剂是导电性的和半导电的至少一种,并且所述添加剂的至少一种具有至少3的纵横比,所述添加剂至少部分地嵌入所述膜中并且定位在所述膜的嵌入区域内,并且所述嵌入区域的厚度小于所述膜的整体厚度;所述透明导体具有不大于所述膜的固有薄层电阻的1/5的薄层电阻;

透明导电体还包括邻近所述膜并且覆盖从所述膜暴露的所述添加剂的部分的外涂层,所述外涂层包含介电材料, 介电材料具有在1.5至30的范围中的介电常数。

2.权利要求1所述的透明导体,其中所述膜由所述导电性陶瓷的溶胶-凝胶前体形成。

3.权利要求1所述的透明导体,其中所述膜包含所述导电性陶瓷的至少部分熔融的纳米结构。

4.权利要求1所述的透明导体,其中所述导电性陶瓷是导电性氧化物。

5.权利要求4所述的透明导体,其中所述导电性氧化物是掺杂的金属氧化物。

6.权利要求1所述的透明导体,其中所述透明导体具有不大于350Ω/sq的薄层电阻。

7.权利要求1所述的透明导体,其中所述嵌入区域的所述厚度不大于所述膜的所述整体厚度的30%。

8.权利要求1所述的透明导体,其中所述添加剂包含银纳米线。

9.权利要求1所述的透明导体,其中所述透明导体的特征为在对所述透明导体应用Scotch胶带测试之后透光度的降低不大于20%和电阻的增加不大于20%。

10.包括权利要求1所述的透明导体的光伏装置。

11.透明导体,其包括:

具有嵌入表面的陶瓷材料;

部分嵌入所述陶瓷材料并且定位在邻近所述嵌入表面的嵌入区域内的添加剂,其中所述嵌入区域的厚度不大于所述陶瓷材料的整体厚度的50%,所述添加剂是导电性的和半导电的至少一种;所述透明导体具有不大于所述陶瓷材料的整体固有薄层电阻的1/5的薄层电阻;

进一步包括邻近所述嵌入表面并且覆盖从所述陶瓷材料暴露的所述添加剂的部分的外涂层,所述陶瓷材料是第一陶瓷材料,并且所述外涂层包含第二陶瓷材料,所述第二陶瓷材料具有在1.5至30的范围中的介电常数。

12.权利要求11所述的透明导体,其中所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料是不同的。

13.权利要求11所述的透明导体,其中所述外涂层的厚度为上至1μm。

14.权利要求11所述的透明导体,其中所述透明导体的特征为在暴露于至少400℃的温度之后透光度的降低不大于20%和电阻的增加不大于20%。

15.权利要求11所述的透明导体,其中所述嵌入区域的所述厚度不大于所述陶瓷材料的所述整体厚度的20%。

16.权利要求11所述的透明导体,其中所述添加剂的至少一种是细长的并且具有在nm范围内的直径,并且所述嵌入区域的所述厚度不大于5倍的所述直径。

17.权利要求11所述的透明导体,其中所述添加剂的至少一种具有至少3的纵横比。

18.权利要求11所述的透明导体,其中所述添加剂是细长的,并且所述添加剂的纵长轴限制在相对于与所述嵌入表面对应的水平面的-35°至+35°的角度范围。

19.权利要求11所述的透明导体,其中所述透明导体具有至少85%的太阳能通量加权透光度和不大于20Ω/sq的薄层电阻。

20.权利要求11所述的透明导体,其中所述添加剂包含芯-壳纳米线。

21.包括权利要求11所述透明导体的OLED装置。

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