[发明专利]成膜方法及存储介质

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，是通过等离子体对载置于处理容器内的基板进行成膜的方法，其中，包括：

第1工序，将预先混合了硅烷系的气体和氢气而成的混合气体供给至所述处理容器内并进行等离子体化，通过所得等离子体在所述基板上使第1硅层成膜；以及

第2工序，将氢气供给至所述处理容器内并进行等离子体化，并且与氢气分开地将硅烷系的气体供给至所述处理容器内，通过等离子体化的氢气使所述硅烷系的气体自由基化，通过由此生成的自由基在所述基板上使第2硅层成膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在被搬入所述处理容器内的基板的表面先使第1硅层成膜，在该第1硅层上使第2硅层成膜。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，从下依次配置有基板、硅烷系的气体的供给口以及氢气的供给口。

4.根据权利要求3所述的成膜方法，其特征在于，使用如下的成膜装置进行所述第1工序和第2工序，即，所述成膜装置具备：

隔壁，为了将基板的上方空间在横方向分割成等离子体生成空间和排气空间而设置，从所述处理容器的顶部向下方延伸，并且在其下端与基板之间形成有用于使气体从所述等离子体生成空间流向排气空间的间隙；

供给口，用于将氢气供给至等离子体生成空间；

活化单元，用于将供给至所述等离子体生成空间的氢气等离子体化；

供给口，用于将硅烷系的气体供给至所述等离子体生成空间内的下部侧或者比该等离子体生成空间还下方侧；

真空排气口，用于对所述排气空间进行真空排气。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，多次交替进行所述第1工序和第2工序。

6.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，同时进行所述第1工序和第2工序，在同时进行期间，随着时间改变第1工序中供给的硅烷系的气体与第2工序中供给的硅烷系的气体的比率。

7.一种存储介质，其特征在于，是存储有用于成膜装置的计算机程序的存储介质，所述成膜装置用于通过等离子体对载置于处理容器内的基板进行成膜，

所述计算机程序以执行权利要求1所述的成膜方法的方式组合有步骤组。