[发明专利]低熔体粘度液晶聚合物的熔融聚合

权利要求书

1.一种用于形成液晶聚合物的方法，该方法包括在芳族酰胺低聚物存在下熔融聚合两种或更多种单体，其中单体是该液晶聚合物的前体，且此外其中该芳族酰胺低聚物具有以下通式（I）：

其中，

环B为6元芳族环，其中1-3个环碳原子任选地使用氮或氧替代，其中各氮任选地被氧化，及其中环B任选地经稠合或连接至5或6元芳基、杂芳基、环烷基或杂环基；

R₅为卤素、卤代烷基、烷基、烯基、芳基、杂芳基、环烷基或杂环基；

m为0-4；

X₁及X₂独立地为C(O)HN或NHC(O)；及

R₁及R₂独立地选自芳基、杂芳基、环烷基及杂环基。

2.如权利要求1的方法，其中该液晶聚合物为完全芳族的。

3.如权利要求1的方法，其中环B为苯基。

4.如权利要求1的方法，其中环B为萘基。

5.如权利要求1的方法，其中该芳族酰胺低聚物具有如下通式（IV）：

其中，

X₁及X₂独立地为C(O)HN或NHC(O)；

R₅、R₇及R₈独立地选自卤素、卤代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、环烷基及杂环基；

m为0-4；及

p及q独立地为0-5。

6.如权利要求5的方法，其中m、p及q为0。

7.如权利要求5的方法，其中m为0，p为1-5，及q为1-5。

8.如权利要求7的方法，其中R₇、R₈或两者为卤素。

9.如权利要求7的方法，其中R₇、R₈或两者为未经取代的芳基、未经取代的环烷基、使用具有结构-C(O)R₁₂N-或-NR₁₃C(O)-的酰胺基团取代的芳基和/或环烷基，其中R₁₂及R₁₃独立地选自氢、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、环烷基及杂环基。

10.如权利要求9的方法，其中R₇和R₈为使用-C(O)HN-或-NHC(O)-取代的苯基。

11.如权利要求9的方法，其中R₇、R₈或两者为杂芳基。

12.如权利要求1的方法，其中该芳族酰胺低聚物具有如下通式（V）：

其中，

X₁及X₂独立地为C(O)HN或NHC(O)；

R₅、R₇及R₈独立地选自卤素、卤代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、环烷基及杂环基；

m为0-4；及

p及q独立地为0-5。

13.如权利要求12的方法，其中m、p及q为0。

14.如权利要求12的方法，其中m为0，p为1-5，及q为1-5。

15.如权利要求14的方法，其中R₇、R₈或两者为卤素。

16.如权利要求14的方法，其中R₇、R₈或两者为未经取代的芳基、未经取代的环烷基、使用具有结构-C(O)R₁₂N-或-NR₁₃C(O)-的酰胺基团取代的芳基和/或环烷基，其中R₁₂及R₁₃独立地选自氢、烷基、烯基、炔基、芳基、杂芳基、环烷基及杂环基。