[发明专利]非水电解质二次电池用负极活性物质、非水电解质二次电池、电池包以及非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280041861.3 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN103765637A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 森田朋和;久保木贵志;深泽孝幸;堀田康之;越崎健司;长田宪和 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 水电 二次 电池 负极 活性 物质 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种非水电解质二次电池用负极活性物质,其特征在于,其具有碳质物、所述碳质物中的氧化硅物相、所述氧化硅相中的硅相和所述碳质物中的氧化锆相,

所述负极活性物质在粉末X射线衍射测定中于2θ=30±1°处具有衍射峰。

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其特征在于,所述氧化锆相为由正方晶氧化锆或稳定化正方晶氧化锆构成的相。

3.根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其特征在于,所述负极活性物质的粉末X射线衍射测定中的Si(111)面的衍射峰的面积A与正方晶系氧化锆(101)面的衍射峰的面积B之比即B/A为0.05~0.5。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其特征在于,氧化锆相中所含的锆元素的含量与所述氧化硅相和硅相中所含的硅元素的摩尔比为0.001~0.2。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其特征在于,粉末X射线衍射测定中的Si(220)面的衍射峰的半值宽度为1.0°~8.0°。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的非水电解质二次电池用负极活性物质,其特征在于,所述负极活性物质是在1000℃~1400℃的温度下进行烧成而成的。

7.一种非水电解质二次电池,其特征在于,其具备包含权利要求1~6中任一项所述的负极活性物质的负极、包含正极活性物质的正极和非水电解质。

8.一种电池包,其特征在于,使用了权利要求7所述的非水电解质二次电池。

9.一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法,其特征在于,将SiOX、锆化合物、树脂与选自石墨、焦炭、低温烧成碳和沥青中的一种以上的碳材料混合,在1000℃~1400℃下进行烧成,其中,0.8≤x≤1.5。

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