[发明专利]溅射用钽制线圈的再生方法及通过该再生方法得到的钽制线圈

权利要求书

1.一种溅射用钽制线圈的再生方法，其为配置在基板与溅射靶之间的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，对于使用过的钽制线圈，通过切削加工对线圈的全部或一部分进行直至再沉积膜或侵蚀部的凹凸及滚花加工痕迹消失而得到光滑的面为止的切削，将溅射中形成的再沉积膜除去，然后，在切削后的部位重新实施滚花。

2.根据权利要求1所述的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，通过条件为切深0.4～0.8mm、进给量0.05～0.2mm/转、转数20～80rpm的切削加工，进行直至再沉积膜或侵蚀部的凹凸及滚花加工痕迹消失而得到光滑的面为止的切削。

3.根据权利要求1或2所述的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，钽制线圈具备重新进行滚花加工后的凹凸。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，重新进行滚花加工后的滚花加工后的粗糙度为Ra≥15μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，重新进行滚花加工后的滚花加工后的线圈厚度的偏差(最大厚度与最小厚度之差)为0.5mm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的溅射用钽制线圈的再生方法，其特征在于，根据再沉积膜的厚度调节切削量。

7.一种溅射用钽制线圈，其通过权利要求1～6中任一项所述的溅射用钽制线圈的再生方法得到。