[发明专利]半导体装置的制造方法、块状层叠体和依次层叠体

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

准备工序，准备第一半导体块、第一树脂层、第二半导体块、第二树脂层和第三半导体块，所述第一半导体块排列有多个第一半导体部件且具有第二半导体部件连接用端子，所述第二半导体块排列有多个第二半导体部件且在一面侧具有第一半导体部件连接用端子并在另一面侧具有第三半导体部件连接用端子，所述第三半导体块排列有多个第三半导体部件且具有第二半导体部件连接用端子，

依次层叠工序，通过依次层叠所述第一半导体块、所述第一树脂层、所述第二半导体块、所述第二树脂层、所述第三半导体块，并粘接其层间而得到块状层叠体，和

由所述块状层叠体得到单个层叠体的工序，所述单个层叠体是所述第一半导体部件的第二半导体部件连接用端子和所述第二半导体部件的第一半导体部件连接用端子间、所述第二半导体部件的第三半导体部件连接用端子和所述第三半导体部件的第二半导体部件连接用端子间被焊接、且被切断成层叠的半导体部件单元的层叠体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述依次层叠工序是如下工序：

在所述第一半导体块上依次层叠所述第一树脂层、所述第二半导体块后，进行加热，介由半固化状态的所述第一树脂层粘接所述第一半导体块和所述第二半导体块，

在所述第二半导体块上依次层叠所述第二树脂层、所述第三半导体块后，进行加热，介由半固化状态的所述第二树脂层粘接所述第二半导体块和所述第三半导体块，由此得到所述块状层叠体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，进一步包括：将被焊接的所述单个层叠体设置在基材上的工序和将所述单个层叠体与所述基材接合的基材接合工序。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述依次层叠工序的前段，

在所述第二半导体块的形成有第一半导体部件连接用端子的面和所述第一半导体块的设有第二半导体部件连接用端子的面中的至少任一面上设置构成所述第一树脂层的树脂层，

在所述第三半导体块的形成有第二半导体部件连接用端子的面和所述第二半导体块的设有第三半导体部件连接用端子的面中的至少任一面上设置构成所述第二树脂层的树脂层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述块状层叠体是所述第一半导体部件的第二半导体部件连接用端子和所述第二半导体部件的第一半导体部件连接用端子中的至少任一方具有焊料层且所述第二半导体部件的第三半导体部件连接用端子和所述第三半导体部件的第二半导体部件连接用端子中的至少任一方具有焊料层的块状层叠体，

得到所述单个层叠体的工序包括以下工序：

块状层叠体接合工序，将所述块状层叠体加热到所述焊料层的熔点以上，对所述第一半导体部件的第二半导体部件连接用端子和所述第二半导体部件的第一半导体部件连接用端子间、所述第二半导体部件的第三半导体部件连接用端子和所述第三半导体部件的第二半导体部件连接用端子间进行焊接，和

切断工序，在所述块状层叠体接合工序后，通过将所述块状层叠体切断成层叠的半导体部件单元而得到单个层叠体。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第一树脂层、所述第二树脂层分别含有热固性树脂，

在所述块状层叠体接合工序中，将所述第一半导体块和所述第二半导体块介由所述第一树脂层粘接且所述第二半导体块和所述第三半导体块介由所述第二树脂层粘接的所述块状层叠体加热而进行焊接，同时进行所述第一树脂层和所述第二树脂层的固化。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述块状层叠体接合工序中，在一对夹压部件中的一方的夹压部件的上方设置所述块状层叠体，并且用另一方的夹压部件和所述一方的夹压部件夹压所述块状层叠体，并加热，进行焊接，同时进行所述第一树脂层和所述第二树脂层的固化。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述块状层叠体接合工序中，一边利用流体对所述块状层叠体加压，一边进行加热，进行焊接。