[发明专利]半导体陶瓷组合物、正温度系数元件和发热模块有效
| 申请号： | 201280040613.7 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103748056A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 猪野健太郎;岛田武司;上田到;木田年纪 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01C7/02 |
| 代理公司： | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人： | 陈波;吴立 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 组合 温度 系数 元件 发热 模块 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体陶瓷组合物，该半导体陶瓷组合物由组成式[(Bi·A)x(Ba1-yRy)1-x](Ti1-zMz)aO3（其中A是Na、Li和K中的至少一种，R是稀土元素（包括Y）中的至少一种，并且M是Nb、Ta和Sb中的至少一种）表示，其中a、x、y和z满足0.90≤a≤1.10，0<x≤0.30，0≤y≤0.050和0≤z≤0.010，并且孔隙间平均距离为1.0μm以上和8.0μm以下，所述孔隙间平均距离是内部存在的孔隙之间的间隔的平均值。
2.根据权利要求1所述的半导体陶瓷组合物，其中R包括Y和Y之外的至少一种稀土元素，并且满足0.010≤y≤0.050。
3.一种PTC元件，该PTC元件包括权利要求1或2所述的半导体陶瓷组合物，并且，在所述半导体陶瓷组合物上设置有至少一对电极。
4.一种发热模块，该发热模块包括权利要求3所述的PTC元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280040613.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
