[发明专利]与离子植入系统一起使用的高电压电源供应器用的电流限制器无效
申请号: | 201280040083.6 | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN103765545A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 可劳斯·贝克;可劳斯·派崔;皮尔·卢比克 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01J27/02 | 分类号: | H01J27/02;H01J37/317 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 植入 系统 一起 使用 电压 电源 供应 器用 电流 限制器 | ||
1.一种浪涌保护系统,与离子源组合件一起使用,所述浪涌保护系统包括:
离子源组合件;
高压电源供应器,用于驱动所述离子源组合件;以及
热离子二极管组合件,串联耦合在所述高压电源供应器的输出端与所述离子源组合件之间。
2.一种浪涌保护系统,与离子源组合件一起使用,所述浪涌保护系统包括:
(i)离子源组合件,包括:
离子源;
具有外层表面的罩壳;
流体连接组合件,使所述离子源的真空部分与所述罩壳的所述外层表面耦合;以及
阴极,包括阴极灯丝电源供应器以及阴极灯丝,所述阴极灯丝安置在所述流体连接组合件内并且与所述离子源组合件罩壳的所述外层表面实质上齐平安装;
(ii)高压电源供应器,封闭在压力槽中以用于驱动所述离子源组合件;以及
(iii)热离子二极管组合件,包括在所述高压电源供应器的输出端与所述离子源组合件的所述罩壳之间串联耦合的绝缘管。
3.根据权利要求2所述的浪涌保护系统,其中所述绝缘管安装在所述压力槽的端板最接近所述阴极的一端上以与所述离子源组合件的所述罩壳的所述外层表面形成真空密封并且在另一端上由与所述高压电源供应器的输出端耦合的阳极密封。
4.根据权利要求3所述的浪涌保护系统,其中所述阴极灯丝包括钨。
5.根据权利要求3所述的浪涌保护系统,其中所述阴极灯丝包括涂钍的钨。
6.根据权利要求3所述的浪涌保护系统,其中所述阴极是间接加热阴极。
7.根据权利要求3所述的浪涌保护系统,其中所述阴极灯丝包括铱。
8.根据权利要求3所述的浪涌保护系统,其中所述阴极是冷阴极。
9.根据权利要求3所述的浪涌保护系统,其中所述阴极是光阴极。
10.一种浪涌保护系统,与离子源组合件一起使用,所述浪涌保护系统包括:
(i)离子源组合件,包括:
离子源;
具有外层表面的离子源组合件罩壳,其中将在一个区域中的所述外层表面穿孔以使得在阴极与阳极之间形成栅格;
流体连接组合件,使所述离子源的真空部分与所述离子源组合件罩壳的所述外层表面耦合;
阴极,包括阴极灯丝电源供应器以及阴极灯丝,所述阴极灯丝安置在所述流体连接组合件内并且与所述离子源组合件罩壳的所述外层表面实质上齐平安装;以及
偏压电源供应器,其相对于所述离子源组合件罩壳的所述外层表面对所述阴极灯丝施加偏压;
(ii)高压电源供应器,封闭在压力槽中以用于驱动所述离子源组合件;以及
(iii)热离子三极管组合件,包括在所述高压电源供应器的输出端与所述离子源组合件罩壳之间串联耦合的绝缘管。
11.根据权利要求10所述的浪涌保护系统,其中所述绝缘管安装在所述压力槽的端板最接近所述阴极的一端上以与所述离子源组合件罩壳的所述外层表面形成真空密封并且在另一端上由与所述高压电源供应器的输出端耦合的阳极密封。
12.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,还包括用于所述阴极灯丝的聚焦元件。
13.根据权利要求12所述的浪涌保护系统,其中用于所述阴极灯丝的所述聚焦元件为文纳尔圆筒。
14.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,其中所述阴极是间接加热阴极。
15.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,其中所述阴极灯丝包括钨。
16.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,其中所述阴极灯丝包括涂钍的钨。
17.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,其中所述阴极灯丝包括铱。
18.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,其中所述阴极是冷阴极。
19.根据权利要求11所述的浪涌保护系统,其中所述阴极是光阴极。
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