[发明专利]具有组合输出的低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 201280039920.3 申请日: 2012-08-16
公开(公告)号: CN103733522A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: A·哈德吉克里斯托;G·S·萨霍塔 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H04B1/00 分类号: H04B1/00;H04B1/40;H03F3/45
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李小芳
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 组合 输出 低噪声放大器
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

前端模块,其包括具有被组合的输出的多个低噪声放大器(LNA);以及

集成电路(IC),其包括经由单个互连耦合至所述多个LNA的接收电路。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述前端模块进一步包括至少一个功率放大器,并且所述IC进一步包括耦合至所述至少一个功率放大器的发射电路。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述前端模块进一步包括用于多个频带的多个发射滤波器或多个双工器,并且所述至少一个功率放大器包括支持所述多个频带且耦合至所述多个发射滤波器或所述多个双工器的功率放大器。

4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA的子集在任何给定时刻被启用,而所述多个LNA中的剩余LNA被禁用。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述前端模块包括:

耦合至所述多个LNA中的至少一个LNA的至少一个接收滤波器。

6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA中的每一个LNA包括:

第一晶体管,其栅极接收输入射频(RF)信号;以及

第二晶体管,其漏极耦合至求和节点并且其源极耦合至所述第一晶体管的漏极。

7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA中的每一个LNA包括:

第一晶体管,其栅极接收输入射频(RF)信号并且其漏极耦合至求和节点。

8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述多个LNA包括:

第二晶体管,其源极耦合至所述求和节点并且其漏极提供经放大RF信号。

9.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述接收电路包括:

被配置成为所述多个LNA提供偏置电流的共栅级;以及

耦合至所述共栅级的放大器。

10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA中的每一个LNA包括:

接收单端输入射频(RF)信号并且提供单端经放大RF信号的单端LNA。

11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA中的每一个LNA包括:

接收差分输入射频(RF)信号并且提供差分经放大RF信号的差分LNA。

12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA包括:

由所述多个LNA共享的负载电感器。

13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述多个LNA进一步包括:

可调节电容器,其与所述负载电感器并联耦合。

14.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA与不同晶体管大小、不同晶体管偏置、或不同LNA电路设计中的至少一者相关联。

15.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述多个LNA用于低频带,所述前端模块进一步包括用于高频带且具有被组合的输出的第二多个LNA,并且所述IC进一步包括第二接收电路,所述第二接收电路经由第二互连耦合至所述第二多个LNA。

16.一种方法,包括:

用具有被组合的输出且驻留在前端模块上的多个低噪声放大器(LNA)中的所选LNA来放大输入射频(RF)信号;以及

在驻留在集成电路(IC)上的接收电路处,经由将所述多个LNA耦合至所述接收电路的单个互连来接收来自所选LNA的经放大RF信号。

17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,进一步包括:

用至少一个滤波器之一来对收到RF信号进行滤波以获得所述输入RF信号,所述至少一个滤波器被耦合至所述多个LNA中的至少一个LNA。

18.如权利要求16所述的方法,其特征在于,进一步包括:

用驻留在所述IC上的发射电路来调理模拟输出信号以获得输出RF信号;以及

用驻留在所述前端模块上的至少一个功率放大器中的所选功率放大器来放大所述输出RF信号。

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