[发明专利]摩擦搅拌接合构造及功率半导体器件

权利要求书

1.一种通过摩擦搅拌接合将第一部件和第二部件一体化的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

至少在所述第一部件和第二部件中的任一方沿着摩擦搅拌接合部形成有小厚度部。

2.如权利要求1所述的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

所述第一部件和所述第二部件作为搭接接头而抵接，其抵接面进行摩擦搅拌接合。

3.如权利要求2所述的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

所述第一部件的抗拉强度S1规定得比所述第二部件的抗拉强度S2小，

所述第一部件的所述小厚度部的厚度L1与所述摩擦搅拌接合部的接合深度D1的关系规定为：

（2×S1）/（S1＋S2）×L1＜D1。

4.如权利要求3所述的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

所述第一部件为矩形平板，所述第二部件具有被所述矩形平板封闭的开口部，

在所述第二部件的所述开口部形成台阶，

在所述第一部件的外周缘形成载置于所述台阶的接合部，

所述第一部件的所述外周缘与所述第二部件的所述开口部的台阶内面的对接部通过摩擦搅拌接合被全周接合，

沿着所述第一部件的所述摩擦搅拌接合部形成有所述小厚度部。

5.一种具有如权利要求4所述的摩擦搅拌接合构造的功率半导体器件，其特征在于，包括：

功率半导体组件；

容纳所述功率半导体组件的壳体；和

冷却所述功率半导体组件的散热板，其中，

所述第二部件为所述壳体，所述第一部件为封闭所述第二部件的所述开口部的散热板。

6.如权利要求1所述的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

在所述第一部件和第二部件这两者中具有所述小厚度部。

7.如权利要求6所述的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

所述第一部件与所述第二部件作为对接接头而抵接，进行摩擦搅拌接合。

8.如权利要求7所述的摩擦搅拌接合构造，其特征在于：

所述第一部件的抗拉强度S1规定得比所述第二部件的抗拉强度S2小，

令所述第一部件的所述小厚度部的厚度为L1、所述第二部件的所述小厚度部的厚度为L2、摩擦搅拌接合部的接合深度为D1时，满足：

（2×S1）/（S1＋S2）×L1＜D1

和

（S1/S2）×L1＜L2。