[发明专利]用于电容性接触传感器的评估方法及评估装置

权利要求书

1.一种用于电容性接触传感器的评估方法，所述电容性接触传感器包括能够进行电容性耦合的至少一个发射电极(SE)及至少一个接收电极(EE)，其中在所述至少一个接收电极(EE)处分接测量信号(S1)，所述测量信号(S1)表示所述至少一个发射电极(SE)与所述至少一个接收电极(EE)之间的耦合电容的时间进程，从所述测量信号(S1)形成参考信号(S_REF)，且当所述参考信号(S_REF)满足至少一个检测准则时产生至少一个检测信号(S2)。

2.一种用于电容性接触传感器的评估方法，所述电容性接触传感器包括至少一个传感器电极(SE／EE)，其中在所述至少一个传感器电极(SE／EE)处分接测量信号(S1)，所述测量信号(S1)表示所述传感器电极(SE／EE)与参考接地之间的电容性负载的时间进程，从所述测量信号(S1)形成参考信号(S_REF)，且当所述参考信号(S_REF)满足至少一个检测准则时产生至少一个检测信号(S2)。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中对所述测量信号(S1)进行低通滤波，且其中在所述测量信号(S1)的所述低通滤波之后，形成所述测量信号(S1)与所述经低通滤波测量信号之间的差信号，其中所述差信号构成所述参考信号(S_REF)。

4.根据权利要求1或2中任一权利要求所述的方法，其中所述参考信号(S_REF)的产生包括对所述测量信号(S1)进行微分及对所述测量信号(S1)进行高通滤波中的一者。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中所述检测准则包括上阈值(UT)及／或下阈值(LT)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述检测准则包括上极限值(UL)及／或下极限值(LL)，其中所述上极限值(UL)处于所述上阈值(UT)以上且所述下极限值(LL)处于所述下阈值(LT)以下。

7.根据权利要求5到6中任一权利要求所述的方法，其中当所述参考信号(S_REF)处于所述下阈值(LT)以下时，形成第一检测信号(S2.1)。

8.根据权利要求5到7中任一权利要求所述的方法，其中当所述参考信号(S_REF)处于所述上阈值(UT)以上时，形成第二检测信号(S2.2)。

9.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的方法，其中当所述参考信号(S_REF)处于所述下阈值(LT)以下且处于所述下极限值(LL)以上时，形成第一检测信号(S2.1)。

10.根据权利要求6到9中任一权利要求所述的方法，其中当所述参考信号(S_REF)处于所述上阈值(UT)以上且处于所述上极限值(UL)以下时，形成第二检测信号(S2.2)。

11.根据权利要求7到10中任一权利要求所述的方法，其中所述第一检测信号(S2.1)及所述第二检测信号(S2.2)为数字信号，且其中当所述检测信号(S2.1、S2.2)满足至少一个信息准则时，形成信息信号(S3)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述信息准则包括以下各项中的至少一者时间间隔

在所述第一检测信号(S2.1)的两个脉冲的上升沿之间，或

在所述第二检测信号(S2.2)的两个脉冲的上升沿之间，或

在所述第一检测信号(S2.1)的脉冲的所述上升沿与所述第二检测信号(S2.2)的脉冲的所述上升沿之间超过或下降到预定义值以下，

所述第一检测信号(S2.1)的脉冲或所述第二检测信号(S2.2)的脉冲的脉冲持续时间超过或下降到预定义值以下，

在预定义时间周期(△t₁)内，所述第一检测信号(S2.1)或所述第二检测信号(S2.2)或所述第一检测信号(S2.1)及所述第二检测信号(S2.2)包括预定义数目个脉冲，及

所述第一检测信号(S2.1)及所述第二检测信号(S2.2)的脉冲序列包括特定模式。