[发明专利]存储器单元结构

说明书

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器装置及方法，且更特定来说，本发明涉及存储器单元结构及其形成方法。

背景技术

存储器装置通常被提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其尤其包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、自旋扭矩转移随机存取存储器(STTRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM；也被称为磁性随机存取存储器)、导电桥接随机存取存储器(CBRAM)。

存储器装置用作需要高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的广范围电子应用的非易失性存储器。非易失性存储器可尤其用于个人计算机、便携式存储器卡、固态驱动器(SSD)、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器及其它电子装置中。程序代码及系统数据(例如基本输入/输出系统(BIOS))通常存储在非易失性存储器装置中。

举例来说，许多存储器装置(例如RRAM、PCRAM、MRAM、STTRAM及CBRAM)可包含组织成(例如)二端交叉点架构的存储器单元阵列。二端交叉点架构中的存储器单元阵列可包含在存储器单元材料之间具有平坦表面的电极。对于丝状型存储器装置(例如RRAM及/或CBRAM)，电极的平坦表面之间的存储器单元的有源区的位置可为可变的，这是因为电极的平坦表面提供横跨存储器单元材料的实质上均匀电场。

发明内容

附图说明

图1为说明存储器单元阵列的一部分的框图。

图2说明根据本发明的一个或一个以上实施例的存储器单元阵列的一部分。

图3说明根据本发明的一个或一个以上实施例的存储器单元阵列的一部分。

图4A到4C说明根据本发明的一个或一个以上实施例的存储器单元的一部分。

具体实施方式

本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一个此存储器单元包含：第一电极，其具有相对于所述第一电极的底面成小于90度角的侧壁；第二电极，其包含所述第二电极的电极接触部分，所述电极接触部分具有相对于所述第一电极的所述底面成小于90度角的侧壁，其中所述第二电极在所述第一电极上方；及存储元件，其介于所述第一电极与所述第二电极的所述电极接触部分之间。

在一个或一个以上实施例中，存储器单元(其具有：第一电极，其具有相对于所述第一电极的底面成小于90度角的侧壁；及第二电极的电极接触部分，所述电极接触部分具有相对于所述第一电极的所述底面成小于90度角的侧壁)可使其纤丝成核位置定位于所述第一电极的钝峰与所述第二电极的所述电极接触部分的一点之间。

在本发明的以下详细描述中，参考形成本发明的一部分的附图，且附图中以说明方式展示可如何实践本发明的许多实施例。足够详细地描述这些实施例以使所属领域的一般技术人员能够实践本发明的实施例，且应了解，可利用其它实施例且可在不背离本发明的范围的情况下做出过程、电及/或结构变化。

如本文中所使用，“许多”某事物可指代一个或一个以上此类事物。例如，许多存储器装置可指代一个或一个以上存储器装置。此外，如本文中般使用指定符“N”及“M”(尤其相对于图式中的参考编号)指示：本发明的许多实施例可包含许多如此指定的特定特征。

本文中的图式遵循编号惯例，其中首位数字或前若干位数字对应于图式编号且剩余数字识别图式中的元件或组件。可使用类似数字来识别不同图之间的类似元件或组件。例如，208可指代图2中的元件“08”且在图3中一类似元件可被标记为308。应了解，本文各种实施例中所展示的元件可经添加、交换及/或删除以便提供本发明的许多额外实施例。此外，应了解，图中所提供的元件的比例及相对尺度意在说明本发明的实施例且不应以限制性意义理解。

图1为框图，其说明存储器单元阵列100的一部分。在图1所说明的实例中，阵列100为交叉点阵列，其包含：第一数量的导电线130-0、130-1、…、130-N(例如存取线)，其在本文中可被称为字线；及第二数量的导电线120-0、120-1、…、120-M(例如数据线)，其在本文中可被称为位线。如图所说明，字线130-0、130-1、…、130-N实质上彼此平行且实质上正交于实质上彼此平行的位线120-0、120-1、…、120-M；然而，实施例不限于此。