[发明专利]具有单用阀的MEMS和操作方法

权利要求书

1.一种打开到空腔的通道的方法，包括：

提供供体部分；

邻近于所述供体部分形成加热元件；

形成抵靠所述供体部分的第一牺牲板块，其中，所述供体部分和所述牺牲板块是可收缩对；

形成第一空腔，所述第一空腔的一部分以第一牺牲板块为界；

通过加热元件产生热量；

使用所产生的热量和所述供体部分由第一牺牲板块形成第一体积减小式板块；和

通过形成第一体积减小式板块形成到第一空腔的通道。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成通道包括：

在第一空腔和第二空腔之间形成通道。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在第一牺牲板块之上形成上部层；和

通过穿过所述上部层的沟槽来露出第一牺牲板块的一部分，其中，形成通道包括在第一空腔和所述沟槽之间形成通道。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成与加热元件的第一部分可操作地连接的第一电极；和

形成与加热元件的第二部分可操作地连接的第二电极，其中，产生热量包括在第一电极和第二电极之间施加电压。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成第二牺牲板块；

形成第二空腔，所述第二空腔的一部分以第二牺牲板块为界；

由第二牺牲板块形成第二体积减小式板块；和

通过形成第二体积减小式板块来形成到第二空腔的通道。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

提供供体部分包括形成硅基支撑层。

7.一种即可使用型MEMS装置，包括：

硅基式供体部分；

由MEMS装置中的第一边界限定的第一空腔；

抵靠所述硅基式供体部分的第一硅化物形成型金属部分，所述第一硅化物形成型金属部分形成第一边界的一部分；和

邻近于第一硅化物形成型金属部分的加热元件。

8.如权利要求7所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于：

所述第一空腔形成在支撑层的第一部分之上；

所述加热元件形成在支撑层的第二部分之下；

所述第一硅化物形成型金属部分形成在支撑层的第二部分之上；和

所述支撑层的第二部分包括硅基式供体部分。

9.如权利要求8所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于，所述装置还包括：

与加热元件的第一部分可操作地连接的第一电极；和

与加热元件的第二部分可操作地连接的第二电极。

10.如权利要求7所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于，所述第一空腔被流体填充。

11.如权利要求7所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于，所述装置还包括：

暴露于第一空腔的传感器元件。

12.如权利要求7所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于，所述装置还包括：

由MEMS装置中的第二边界限定的第二空腔，其中，所述第一硅化物形成型金属部分形成所述第二边界的一部分。

13.如权利要求7所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于，所述装置还包括：

由MEMS装置中的第二边界限定的第二空腔；和

邻近于所述硅基部分并形成所述第二边界的一部分的第二硅化物形成型金属部分。

14.如权利要求13所述的即可使用型MEMS装置，其特征在于：

第一硅化物形成型金属部分具有第一硅化温度；

第二硅化物形成型金属部分具有第二硅化温度；和

所述第一硅化温度高于所述第二硅化温度。