[发明专利]光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法

权利要求书

1.一种光刻用下层膜形成材料，其特征在于，其含有下述通式(1)所示的化合物、产酸剂和交联剂，

式(1)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R¹各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R²各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R²的至少一个是羟基，m各自独立地是1～6的整数，n是1～4的整数。

2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成材料，其特征在于，所述通式(1)所示的化合物为下述通式(1a)所示的化合物，

式(1a)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R¹各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R⁴各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，m⁴各自独立地是0～5的整数。

3.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成材料，其特征在于，其还含有有机溶剂。

4.一种光刻用下层膜形成材料，其特征在于，其含有具有下述通式(2)所示结构的树脂、产酸剂和交联剂，

式(2)中，X各自独立地是氧原子或硫原子，R¹各自独立地是单键或碳原子数为1～30的2n价的烃基，该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6～30的芳香族基团，R²各自独立地是碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为2～10的链烯基或羟基，其中，R²的至少一个是羟基，R³各自独立地是单键或碳原子数为1～20的直链状或支链状的亚烷基，m²各自独立地是1～5的整数，n是1～4的整数。

5.一种光刻用下层膜，其特征在于，其是由权利要求1～4中任一项所述的光刻用下层膜形成材料形成的。

6.一种图案形成方法，其特征在于，使用权利要求1～4中任一项所述的下层膜形成材料在基板上形成下层膜，在该下层膜上形成至少一层光致抗蚀剂层后，对该光致抗蚀剂层的所需区域照射辐射线，进行碱显影。

7.一种图案形成方法，其特征在于，使用权利要求1～4中任一项所述的下层膜形成材料在基板上形成下层膜，使用含有硅原子的抗蚀剂中间层膜材料在该下层膜上形成中间层膜，在该中间层膜上形成至少一层光致抗蚀剂层后，对该光致抗蚀剂层的所需区域照射辐射线，进行碱显影，形成抗蚀剂图案，然后，以该抗蚀剂图案作为掩模，对所述中间层膜进行蚀刻，以所得到的中间层膜图案作为蚀刻掩模，对所述下层膜进行蚀刻，以所得到的下层膜图案作为蚀刻掩模，对基板进行蚀刻，由此在基板上形成图案。