[发明专利]触摸屏

说明书

技术领域

本发明一般涉及触摸屏，并且更具体地，涉及能使用太赫兹频率的触摸屏。

背景技术

触摸屏已经普遍存在于移动设备（即，电话）和其他设备（即，平板计算机）中。但是难以设计出更大的显示器（例如“黑板”）。用于大规模应用的电阻和电容性触摸板昂贵并且“功耗大”，而基于投影机的解决方案受到遮挡的影响。因此，需要一种可扩展的触摸敏感系统。

常规的电路和系统的一些示例在以下文献中描述：Williams,“Filling the THZ Gap,”doi:10.1088/0034-4885/69/2/R01;Heydari等人，“Low-Power mm-Wave Components up to104GHz in90nm CMOS,”ISSCC2007,pp.200-201,2007年2月，旧金山，CA；LaRocca等人，“Millimeter-Wave CMOS Digital Controlled Artificial Dielectric Differential Mode Transmission Lines for Reconfigurable ICs,”IEEE MTT-S IMS,2008年;Scheir等人，“A52GHZ Phased-Array Receiver Front-End in90nm Digital CMOS”JSSC2008年10月，pp.2651-2659;Straayer等人，“A Multi-Path Gated Ring Oscillator TDC With First-Order Noise Shaping,”IEEE J.of Solid State Circuits（固态电路），第44卷，编号4，2009年4月，pp.1089-1098;Huang,“Injection-Locked Oscillators with High-Order-Division Operation for Microwave/Millimeter-wave Signal Generation,”论文，2007年9月；Cohen等人，“A bidirectional TX/RX four element phased-array at60HGz with RF-IF conversion block in90nm CMOS processes,”2009IEEE Radio Freq.Integrated Circuits Symposium（无线电频率.集成电路研讨会），pp.207-210;Koh等人，“A Millimeter-Wave(40-65GHz)16-Element Phased-Array Transmitter in0.18-um SiGe BiCMOS Technology,”IEEE J.of Solid State Circuits，第44卷，编号5，2009年5月，pp.1498-1509;York等人，“Injection-and Phase-locking Techniques for Beam Control,”IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques（微波理论与技术业务），第46卷，编号11，1998年11月，pp.1920-1929;Buckwalter等人，“An Integrated Subharmonic Coupled-Oscillator Scheme for a60-GHZ Phased Array Transmitter,”IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，第54卷，编号12，2006年12月，pp.4271-4280;PCT公开号WO2009028718;以及美国专利No.3,673,327。

发明内容

实施例提供一种方法。该方法包括通过由介电材料形成的触摸板发射太赫兹辐射的脉冲，使得该脉冲在与触摸板的触摸表面相邻的区域内产生瞬逝场；从与触摸板的触摸表面相邻的区域中的物体产生反射脉冲；以及至少部分根据反射脉冲对物体在触摸板的触摸表面上的位置进行三角测量。

在实施例中，三角测量的步骤进一步包括：通过以一距离彼此隔开的第一接收器和第二接收器接收反射脉冲；以及至少部分根据第一接收器的发射和接收之间的第一经过时间，第二接收器的发射和接收之间的第二经过时间，以及该距离计算出物体的位置。