[发明专利]含硅固化性组合物及其固化物有效
申请号: | 201280039004.X | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN103748171A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 斋藤雅子;知场亮太;金泽拓哉;平塚一郎;神林孝明 | 申请(专利权)人: | 株式会社艾迪科 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08K3/00;C08K5/04;C08K5/14;C08L83/05 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化 组合 及其 | ||
技术领域
本发明涉及含硅固化性组合物以及使其固化而成的固化物。本发明的含硅固化性组合物及其固化物对于用于半导体的材料、特别是用于LED等的包装及引线框是有用的。
背景技术
对含硅化合物已经进行了各种各样的研究,工业上也从很久以前就已经开始使用例如以有机硅树脂为代表的聚硅氧烷化合物。但是,有机硅树脂虽然耐热性、柔韧性优异,但是由于释气成分(挥发成分)多,所以在电子部件的制造工艺等中会因污染问题而导致使用受到限制。
另外,近年来,在电子信息领域,伴随着技术的发展,要求所使用的各种材料也具有高度的性能,所以正在研究利用了硅的有特点的性质而使得耐热性、物理和电气特性优异的材料。其中,对应用硅化合物的氢化硅烷化(hydrosilylation)反应来制造有用的化合物的技术进行了多种研究。另外,在电子信息领域中的部件制造工艺中,光刻工艺被广为采用,从而要求有高耐碱性和耐溶剂性。因此,要求能够在保持高耐碱性和耐溶剂性的同时还满足高度的耐热性、耐开裂性的材料。
针对这些要求,提出了各种含硅固化性组合物(例如参考专利文献1~7等)。
然而,虽然这些文献所提出的技术分别具有各自的特点,但是在最近的电子信息领域中对材料所要求的耐热性、耐光性、耐开裂性、着色性等方面无法得到满足。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:欧洲专利申请公开0598627号公报
专利文献2:日本特开平8-73743号公报
专利文献3:日本特开2004-107577号公报
专利文献4:日本特开2005-68295号公报
专利文献5:美国专利申请公开2009/012256号公报
专利文献6:日本特开2007-332259号公报
专利文献7:日本特开2009-120732号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因此,本发明的目的在于,提供耐热性、耐光性、耐开裂性和机械强度优异的对于电气、电子材料等有用的含硅固化性组合物以及使所述含硅固化性组合物固化而成的固化物。
用于解决问题的手段
本发明的发明人为了解决上述问题而进行了认真的研究,结果以特定的含硅化合物的结构和预聚物为着眼点,完成了本发明。
即,本发明提供一种含硅固化性组合物,其特征在于,其含有:
(A)成分:重均分子量为300~10万的含硅聚合物100质量份,该含硅聚合物是通过将有机硅烷混合物水解、缩合而得到的,所述有机硅烷混合物由5~50摩尔%的下述通式(1-1)表示的有机硅烷(a)中的一种以上、0~50摩尔%的下述通式(1-2)表示的有机硅烷(b)中的一种以上、0~40摩尔%的下述通式(1-3)表示的有机硅烷(c)中的一种以上、0~50摩尔%的下述通式(1-4)表示的有机硅烷(d)中的一种以上和0~40摩尔%的下述通式(1-5)表示的有机硅烷(e)中的一种以上构成,其中,有机硅烷(b)和有机硅烷(c)之和为5~60摩尔%;
(B)成分:在一分子中含有两个以上的Si-H基的预聚物0~200质量份,该预聚物是通过使选自下述通式(2)表示的环状硅氧烷化合物(α)中的一种以上与选自下述通式(3-1)、下述式(3-2)或下述通式(3-3)表示的化合物(β)中的一种以上进行氢化硅烷化反应而得到的;
(C)成分:线状硅氧烷化合物0.1~30质量份,该线状硅氧烷化合物在一分子中含有两个以上的与Si-H基或Si-CH3具有反应性的碳-碳双键;
(D)成分:有机过氧化物0.0001~10质量份和金属催化剂0~1.0质量份;以及
(E)成分:填料0~1500质量份。
R1SiX3 式(1-1)
R2SiX3 式(1-2)
R3R4SiX2 式(1-3)
R5SiX3 式(1-4)
R6SiX3 式(1-5)
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