[发明专利]掺杂剂注入层有效
| 申请号： | 201280038330.9 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103858248B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | J·D·麦克肯齐;E·琼斯;Y·中泽 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 注入 | ||
【权利要求书】：
1.用于电子器件的等电位源层，其特征在于，所述等电位源层提供优先注入该电子器件的活性层的带电荷离子，其中这种被注入的离子的电荷具有与施加到该等电位源层的相对偏压的符号相同的符号。
2.一种包含如权利要求1所述的等电位源层的电子器件，其特征在于，所述等电位源层包括复合材料离子掺杂剂注入层，该复合材料离子掺杂剂注入层包括至少一种对离子具有相对高的扩散系数的组分。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述复合材料离子掺杂剂注入层包括金属性导电颗粒和离子支撑基质。
4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述复合材料离子掺杂剂注入层包括连续的金属性导电网络和离子支撑基质。
5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述金属性导电网络包括金属性纳米线或者导电纳米管。
6.如权利要求3或4所述的器件，其特征在于，所述离子支撑基质包括导电聚合物。
7.如权利要求2-6任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括透明阳极、与该透明阳极接触的导电聚合物层，以及邻近所述活性层的额外的可移动的离子掺杂剂。
8.如权利要求2-7任一项所述的器件，其特征在于，所述器件包括透明阴极和掺杂的阳极，所述掺杂的阳极是金属性元件的连续导电网络和离子支撑基质形成的复合材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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