[发明专利]等离子CVD装置

权利要求书

1.一种等离子CVD装置，在作为成膜对象的多个基材上分别形成被膜，其特征在于，

具备：

真空腔室；

真空排气部，将上述真空腔室内真空排气；

气体供给部，向上述真空腔室内供给原料气体；

等离子产生电源，使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子；

多个自转保持部，一边自转一边保持上述基材；和

多个公转机构，使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转；

上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中，所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上，所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。

2.如权利要求1所述的等离子CVD装置，其特征在于，

上述公转机构具有能够绕上述公转轴公转的公转工作台；

上述多个自转保持部分别以距上述公转工作台的公转轴相等的半径且绕公转轴为等间隔的方式配备。

3.如权利要求1所述的等离子CVD装置，其特征在于，

属于上述第1组的1个公转机构和属于上述第2组的1个公转机构相对于上述真空腔室内的中心线对称地配备；

上述真空排气及上述气体供给部相对于上述中心线对称地配备。