[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备

权利要求书

1.一种半导体制造设备，其特征在于，

所述半导体制造设备包括：

清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；

外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；及

搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室和所述外延腔室连接，并具备将已完成所述清洗工艺的所述基板搬运至所述外延腔室的基板处理器，

所述清洗腔室为实现对多个基板的间歇式工艺。

2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述清洗腔室具备：

上部腔室，其提供实现所述清洗工艺的工艺空间；

下部腔室，其具备使所述基板进出的清洗通道；

基板支架，其用于载置所述基板；

旋转轴，其与所述基板支架连接而与所述基板支架一同升降，并用于将所述基板支架搬运至所述上部腔室和所述下部腔室；及

支撑板，其与所述基板支架一同升降，并用于在所述清洗工艺期间使所述工艺空间与外部隔离。

3.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述清洗腔室进一步具备：

升降机，其用于使所述旋转轴升降；和驱动马达，其用于使所述旋转轴旋转。

4.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述清洗腔室进一步具备：

注入器，其设置在所述上部腔室的一侧，并用于向所述工艺空间供应自由基；

自由基供应线，其与所述注入器连接，并用于向所述注入器供应等离子体；及

气体供应线，其与所述上部腔室连接，并用于向所述工艺空间供应反应性气体。

5.根据权利要求4所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述反应性气体是包含NF₃的氟化物气体。

6.根据权利要求2所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述清洗腔室还具备加热器，所述加热器设置在所述上部腔室的一侧并用于加热所述工艺空间。

7.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述搬运腔室具有使所述基板向所述清洗腔室进出的搬运通路，

所述半导体制造设备进一步包括用于分隔所述清洗腔室和所述搬运腔室的清洗侧闸阀。