[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备

权利要求书

1.一种半导体制造设备，其特征在于，

所述半导体制造设备包括：

清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；

外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及

搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备将已完成所述清洗工艺的所述基板搬运至所述外延腔室的基板处理器，

所述清洗腔室具备：

反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及

加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺，

所述反应腔室和所述加热腔室以上下形式载置。

2.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述搬运腔室具有使基板向所述清洗腔室进出的第一及第二搬运通道，

所述反应腔室具有使所述基板进出的反应通道，所述加热腔室具有使所述基板进出的加热通道，

所述半导体制造设备进一步包括用于分隔所述反应腔室和所述搬运腔室的反应侧闸阀、和用于分隔所述加热腔室和所述搬运腔室的加热侧闸阀。

3.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述反应腔室具备：

自由基供应线，其与所述反应腔室连接并供应自由基；及

气体供应线，其与所述反应腔室连接并供应反应性气体。

4.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述反应腔室进一步具备衬托器，所述衬托器用于放置所述基板，并且在所述反应工艺期间使所述基板旋转。

5.根据权利要求3所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述反应性气体是含有NF₃的氟化物气体。

6.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述加热腔室具备：

衬托器，其用于放置所述基板；和

加热器，其用于加热放置在所述衬托器的所述基板。

7.根据权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述半导体制造设备进一步包括缓冲腔室，所述缓冲腔室与所述搬运腔室的侧面连接，并具备用于载置所述基板的载置空间，

所述基板处理器将已完成所述清洗工艺的所述基板依次载置在所述载置空间后，将所载置的所述基板搬运至所述外延腔室，并且将形成有所述外延层的所述基板依次载置在所述载置空间。

8.根据权利要求7所述的半导体制造设备，其特征在于，

所述载置空间具备：第一载置空间，其用于载置已完成所述清洗工艺的所述基板；和第二载置空间，其用于载置形成有所述外延层的所述基板。