[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201280037004.6 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103733321B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 谷本智;图子祐辅;村上善则;井关隆士;高森雅人;佐藤伸二;松井康平 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社;住友金属矿山株式会社;三垦电气株式会社;富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K35/28;C22C18/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其中，包括下述工序：
分别准备半导体元件、至少表面的主要元素为Cu的基板、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片；
以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板，在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片；
一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷一边进行升温，使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层；以及
一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述降温的工序，包含在刚好低于所述ZnAl焊料层的共析温度的温度下保温或逐渐冷却的工序。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述载荷大于或等于0.1g/mm2。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述ZnAl共晶焊料片的最大融解温度，大于或等于所述ZnAl共晶焊料片的液相线温度，且小于或等于420℃。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
保持为所述最大融解温度的时间小于或等于5分钟。
6.一种半导体装置，其在半导体元件和基板之间夹持有ZnAl焊料层，其中，
共晶相组织在所述ZnAl焊料层整体中所占的含有率小于或等于20%。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件，是以包含碳化硅（SiC）、氮化稼（GaN）、金刚石（C）在内的宽带隙半导体为基体的半导体元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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