[发明专利]多柱电子束设备和方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

电磁体，其经布置以在区中提供大规模磁场；以及

多个电子束柱的阵列，所述多个电子束柱的阵列是使用穿过磁性材料的孔阵列而形成于所述区中。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述区在所述电磁体的至少两个磁极块之间。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述孔阵列穿过所述至少两个磁极块之间的通量旁路板。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

所述电磁体的第一和第二极块，其中所述孔阵列穿过所述第一极块。

5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

可移动台，其经配置以将具有实质上有限厚度的晶片、掩模、EUV掩模或其它平坦衬底固持在所述多个电子束柱的阵列下方。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个电子束柱中的电子束柱包括形成于孔内的多个电极。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述电子束柱包括包含发射器和提取孔口的电子源，所述提取孔口具有施加于其的电压以便从发射器提取电子。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述电子束柱进一步包括位于所述孔与所述多个电极之间的电阻性衬里。

9.根据权利要求6所述的设备，其中所述电子束柱进一步包括：

柱孔口，其使所述柱的上部部分与所述柱的下部部分分离，

其中所述多个电极包含位于所述柱的所述上部部分中的枪透镜电极和接地电极，

其中所述枪透镜电极经配置以将电子汇聚成电子束，且

其中所述接地电极经配置以使所述电子束居中，使得所述电子束行进通过所述柱孔口。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述多个电极进一步包含位于所述柱的所述下部部分中的至少一个辅助电极和提取器电极，进一步其中所述至少一个辅助电极经配置以提供所述电子束的第一偏转，且所述提取器电极经配置以提供所述电子束的第二偏转。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述电子束柱进一步包括检测器，所述检测器经配置以检测二次电子且经配置以通过限制分叉束轨迹来界定所述束。

12.根据权利要求9所述的设备，其中所述电子束柱进一步包括消隐板，所述消隐板经配置以被致动来阻挡所述电子束进入所述柱的所述下部部分。

13.一种产生电子束阵列的方法，所述方法包括：

使用至少两个磁极在区中产生大规模磁场；以及

使用柱阵列产生电子束阵列，所述柱阵列是使用穿过定位于所述区中的磁性材料的孔而形成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中使用形成于穿过所述磁性材料的孔内的多个电极来产生所述电子束阵列的电子束。

15.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

在可移动台上将制成的衬底固持在所述柱阵列下方。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

使用所述柱阵列的柱内的检测器来检测从半导体晶片发射的二次电子。

17.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：

选择性地消隐所述电子束阵列的电子束以便将图案写入到所述制成的衬底的层上。

17.一种电子束柱阵列，其包括：

磁性材料，其定位于大规模磁场中；

穿过所述磁性材料的孔阵列，其中所述孔阵列中的每一孔具有第一端和第二端；

电子源阵列，其中所述电子源阵列中的每一源经配置以将电子发射到所述孔阵列中的对应孔的所述第一端中；以及

多个电极，其布置于所述孔阵列的每一孔内。

18.根据权利要求17所述的电子束柱阵列，其中在每一孔的所述第一端处的开口的大小不同于在所述第二端处的开口的大小。

19.根据权利要求17所述的电子束柱阵列，其中所述磁性材料包括位于形成所述大规模磁场的两个极之间的通量旁路板。

20.根据权利要求17所述的电子束柱阵列，其中所述磁性材料包括形成所述大规模磁场的两个极中的一者。