[发明专利]氧化石墨、氧化石墨烯或石墨烯、使用它们的电器设备、制造它们的方法以及电渗析设备有效
申请号: | 201280036403.0 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN103702936A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 等等力弘笃;竹村保彦;野元邦治 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;B01D61/44;C01B31/02;C02F1/469;H01M4/62 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘力;梁谋 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 石墨 使用 它们 电器设备 制造 方法 以及 电渗析 设备 | ||
1. 一种氧化石墨的制造方法,包括:
在溶液中将石墨氧化;
对所述溶液添加酸,以使所述溶液为pH3以下;以及
进行电渗析,以从所述溶液中去除阳离子。
2. 根据权利要求1所述的氧化石墨的制造方法,其中所述酸是盐酸。
3. 一种氧化石墨的制造方法,包括:
在溶液中将石墨氧化;
对所述溶液添加pH调节剂,以使所述溶液为pH6至pH8;以及
进行电渗析,以从所述溶液中去除阳离子及阴离子。
4. 根据权利要求3所述的氧化石墨的制造方法,其中所述pH调节剂是氢氧化锂或氢氧化铵。
5. 根据权利要求3所述的氧化石墨的制造方法,
其中,所述进行电渗析的步骤包括进行第一电渗析以从所述溶液中去除所述阳离子及所述阴离子的第一步骤;以及进行第二电渗析以从所述溶液中去除所述阳离子的第二步骤。
6. 根据权利要求3所述的氧化石墨的制造方法,
其中,所述进行电渗析的步骤包括进行第一电渗析以从所述溶液中去除所述阳离子及所述阴离子的第一步骤;以及进行第二电渗析以从所述溶液中去除所述阳离子的第二步骤,
在所述第一电渗析中使用第一阳离子交换膜和阴离子交换膜,
并且,在所述第二电渗析中使用第二阳离子交换膜和双极膜。
7. 一种氧化石墨烯的制造方法,包括:
在溶液中将石墨氧化;
对所述溶液添加酸,以使所述溶液为pH3以下;
进行电渗析,以从所述溶液中去除阳离子,以及
对通过所述电渗析而获得的氧化石墨进行超声波处理。
8. 一种石墨烯的制造方法,包括使根据权利要求7所述的方法获得的氧化石墨烯还原的步骤。
9. 一种氧化石墨烯的制造方法,包括:
在溶液中将石墨氧化;
对所述溶液添加pH调节剂,以使所述溶液为pH6至pH8;
进行电渗析,以从所述溶液中去除阳离子及阴离子,以及
对通过所述电渗析而获得的氧化石墨进行超声波处理。
10. 一种石墨烯的制造方法,包括使根据权利要求9所述的方法获得的氧化石墨烯还原的步骤。
11. 一种电渗析设备,包括阳极、阴离子交换膜、阳离子交换膜、阴极,
其中,在所述阳极与所述阳离子交换膜之间设置有所述阴离子交换膜,
在所述阴极与所述阴离子交换膜之间设置有所述阳离子交换膜,
并且,对所述阳离子交换膜与所述阴离子交换膜之间注入包含氧化石墨、阳离子和阴离子的溶液。
12. 根据权利要求11所述的电渗析设备,其中所述溶液的pH为3以下。
13. 根据权利要求11所述的电渗析设备,其中所述溶液的pH为6至8。
14. 根据权利要求11所述的电渗析设备,还包括设置在所述阳极与所述阴离子交换膜之间的双极膜。
15. 根据权利要求11所述的电渗析设备,还包括设置在所述阴极与所述阳离子交换膜之间的双极膜。
16. 一种电渗析设备,包括阳极、阴离子交换膜、双极膜、阴极,
其中,在所述阳极与所述双极膜之间设置有所述阴离子交换膜,
在所述阴极与所述阴离子交换膜之间设置有所述双极膜,
并且,对所述双极膜与所述阴离子交换膜之间注入包含氧化石墨和阳离子的溶液。
17. 根据权利要求16所述的电渗析设备,其中所述溶液的pH为3以下。
18. 根据权利要求16所述的电渗析设备,还包括设置在所述阳极与所述阴离子交换膜之间的第二双极膜。
19. 一种电渗析设备,包括阳极、阳离子交换膜、双极膜、阴极,
其中,在所述阳极与所述阳离子交换膜之间设置有所述双极膜,
在所述阴极与所述双极膜之间设置有所述阳离子交换膜,
并且,对所述双极膜与所述阳离子交换膜之间注入包含氧化石墨和阳离子的溶液。
20. 根据权利要求19所述的电渗析设备,其中所述溶液的pH为6以上。
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